毛细管放电z箍xe等离子体euv光源研究.pdf

Classified Index: O434.2 U.D.C: 535 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering STUDY ON EUV SOURCE OF Z-PINCH XE PLASMA PUMBED BY CAPILLARY DISCHARGE Candidate ： Xu Qiang Supervisor ： Prof. Li Qi Associate Supervisor ： Prof. Zhao Yongpeng Academic Degree Applied for ： Doctor of Engineering Speciality ： Physical Electronics Affiliation ： Dept. of Optoelectronic Information Science and Technology Date of Defence ： June, 2014 Degree-Conferring-Institution ： Harbin Institute of Technology 万方数据 摘 要 摘 要 为了实现更小特征尺寸的集成电路，采用更短曝光波长的下一代光刻技术被 提出来。极紫外(EUV)光刻相比其他下一代光刻技术，在光学光刻技术上的延续性 较好，是目前发展的一种主要技术方案。根据实际应用需求，目前极紫外光刻光 源主要沿着两条路线发展：满足大规模工业生产需求的高功率、高重复频率光源； 用于光刻机中光学系统、掩膜版、光刻胶等系统检测用的中小功率光源。后者要 求光源具有较高的功率稳定性和适中的光源功率，同时要求光源结构简单、工作 成本较低。毛细管放电Z 箍缩Xe 等离子体EUV 光源具有结构较为简单、稳定性 好、收集效率较高等优点，是目前实现检测用的中小功率光源主要技术方案之一。 关于毛细管放电Z 箍缩Xe 等离子体EUV 光源，系统的机理研究、良好的放 电结构和工作参数，是实现功率较高、稳定性良好的 13.5nm(2%带宽)辐射光输出 的关键。围绕这一目标，本文开展了EUV 光源理论分析、实验装置的改造、EUV 光源实验研究和1kHz 光源设计及建造等四方面的研究工作，以实现较高功率和稳 定性的13.5nm(2%带宽)辐射光输出。 在理论方面，本文采用Cowan 程序计算了Xe 离子能级参数。采用碰撞-辐射 模型模拟了不同条件下等离子体中不同价态离子丰度分布。根据离子能级参数和 丰度分布计算结果，考虑谱线展宽的影响，结合离子丰度分布计算结果，模拟了 不同条件下辐射光谱的变化。采用雪耙模型模拟了毛细管放电 Xe 等离子体 EUV 光源中的 Z 箍缩过程，分析了箍缩过程中存在的多次箍缩效应。同时，深入分析 了不同电流、气压和毛细管内径等参数，对等离子体 Z 箍缩过程的影响。结合光 学收集系统相关参数，计算了不同毛细管内径和等离子体长度对收集效率和中间 焦点处功率的影响。 毛细管放电Z 箍缩Xe 等离子体EUV 光源实验装置，主要包括电源系统、放 电系统、充配气系统、真空系统、探测系统等五部分。本文针对光源工作中出现 的问题做出了相应的改进，以满足放电过程中实现较高功率和稳定性的极紫外辐 射的要求。改造后的结构可以实现等离子体的有效箍缩，实现了EUV 辐射光输出。 实验上，系统地研究了