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27465b 2.3.1 晶体管的小信号微变等效模型 2Z12.TIF 27465b 2.3.1 晶体管的小信号微变等效模型 2Z13.TIF 27465b 图2-14 晶体管微变等效电路模型 27465b 2.3.2 共发射极放大电路的分析 1.共发射极放大电路的静态分析 对于图2-4a基本共发射极放大电路作静态分析,就是根据其直流通路(见图2-4b)计算放大电路的静态工作点Q(IBQ、UBEQ、ICQ、UCEQ)。2.共发射极放大电路的动态分析 图2-4a基本共发射极放大电路的交流通路如图2-4c所示,用晶体管的微变等效模型替换交流通路中的晶体管,就得到基本共发射极放大电路的微变等效电路,如图2-15a所示。 27465b 图2-15 基本共发射极放大电路的微变等效电路 27465b 1.5.4 增强型绝缘栅场效应晶体管的主要参数 1.开启电压UGS(th) 开启电压是指在UDS为某一固定值时,能产生iD(一般为50μA)所需的最小|uGS|值。2.直流输入电阻RGS(DC) 直流输入电阻是指漏源电压为零时,栅源电压与栅极电流之比。3.低频跨导gm4.最大漏源电压U(BR)DS 是指漏极附近发生雪崩击穿时的漏源电压。5.最大栅源电压U(BR)GS 最大栅源电压是指使栅极与沟道间PN结发生反向击穿时的栅源电压uGS。6.最大耗散功率PDM PDM最大耗散功率是指管子允许的最大耗散功率,它受管子的最高工作温度和散热条件的限制。 27465b 1.5.4 增强型绝缘栅场效应晶体管的主要参数 1.半导体与PN结 硅和锗是两种常用的制造半导体器件的材料。2.二极管 由一个PN结加上两个电极引线并进行封装就构成二极管。3.特殊二极管 稳压二极管是一种在模拟电子电路中常用的特殊二极管。 4.晶体管 双极型晶体管有两个PN结:发射结和集电结;三个区:基区、发射区和集电区,相三个极:基极、发射极和集电极。5.场效应晶体管 场效应晶体管是一种半导体器件,它通过栅源电压uGS来实现对漏极电流iD的控制,是电压控制型器件。 27465b 表1-1 根据管脚电流判断NPN硅管的工作状态 27465b 第2章 基本放大电路 2.1 基本放大电路的组成2.2 放大电路的图解分析法2.3 放大电路的微变等效电路分析法 27465b 2.1 基本放大电路的组成 2.1.1 放大的基本概念2.1.2 放大电路的基本组成 27465b 2.1.1 放大的基本概念 图2-1 放大电路示意图 27465b 2.1.2 放大电路的基本组成 1.放大电路组成原则2.放大电路组成 共发射极电路如图2-2a所示。3.放大电路各组成元件的作用4.放大电路的改画 图2-2a中VBB也可以省去,采用单电源VCC给电路供电。5.放大电路的主要性能指标1.简述放大的概念。2.简述基本放大电路的基本组成及各元件的作用。3.如何画放大电路的直流通路和交流流通路? 27465b 1.放大电路组成原则 1)确保晶体管工作于放大区,即满足发射结正向偏置,集电结反向偏置的外部条件。2)确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。3)确保放大电路不失真的放大交流信号,并使交流输出信号能够传送到负载上去。 27465b 2.放大电路组成 共发射极电路如图2-2a所示。 图2-2 基本共发射极放大电路的组成 27465b 3.放大电路各组成元件的作用 (1)晶体管V 它是整个放大电路的核心器件,起放大作用。(2)基极直流电源VBB 通过基极电阻为晶体管的发射结提供正向偏置电压和适当的基极电流。(3)基极电阻RB 基极直流电源VBB通过它为发射结提供正向偏置电压和适当的基极电流,使放大电路工作在放大区。(4)集电极直流电源VCC 通过集电极电组为晶体管集电结提供反向偏置电压,保证晶体管工作在放大区,并为整个电路提供能量。(5)集电极电阻RC 将集电极电流的变化转变为电压的变化,以实现电压放大。(6)耦合电容C1 传送交流隔离直流。(7)耦合电容C2 传送交流隔离直流。 27465b 4.放大电路的改画 图2-2a中VBB也可以省去,采用单电源VCC给电路供电。 27465b 5.放大电路的主要性能指标 (1)电压放大倍数u 电压放大倍数是指放大电路输出电压和输入电压的比值。(2)输入电阻 输入电阻是放大电路从输入端向右看进去的等效电阻(见图2-1)。(3)输出电阻 输出电阻Ro是从放大电路输出端看进去的等效电阻。 27465b 图2-3 放大电路的输出电阻计算 27465b 2.2 放大电路的图解分析法 2.2.1 直流通路和交流通路2.2.2 静态分析2.2.3 动态分析2.2.4 非线性失真 27465b 2.2
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