电子技术 电工学2 作者 王黎明 _ 第10,11章.pptVIP

27465H 11.1　只读存储器 11.1.1　ROM的基本结构11.1.2　ROM的工作原理11.1.3　ROM应用举例11.1.4　各类ROM介绍 27465H 11.1.1　ROM的基本结构 图11-1　ROM的结构框图 27465H 11.1.2　ROM的工作原理 图11-2　二极管ROM电路 27465H 11.1.2　ROM的工作原理 图11-3　存储矩阵中的或门电路 27465H 11.1.2　ROM的工作原理 表11-1　图11-2ROM中的数据表 27465H 11.1.2　ROM的工作原理 图11-4　简化的ROM存储矩阵阵列图 27465H 11.1.2　ROM的工作原理 图11-5　用MOS管构成的ROM 27465H 表11-2　全加器的逻辑状态表 27465H 图11-6　用ROM构成的全加器 27465H 11.1.4　各类ROM介绍 1.掩膜ROM　掩膜ROM又称为固定ROM。2.可编程ROM(PROM)3.可擦除的可编程ROM(EPROM)　由于可擦除的可编程ROM(EPROM)中存储的数据可以擦除重写，因而在需要经常修改ROM中内容的场合，它便成为一种比较理想的器件。4.快闪存储器　快闪存储器(Flash Memory)在结构上与UVEPROM类似，保留了UVEPROM结构简单、编程可靠的优点，在擦除操作上又吸收了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性。 27465H 图11-7　熔丝型PROM存储单元 27465H 11.2　随机存储器 11.2.1　RAM的基本结构11.2.2　RAM的工作原理11.2.3　RAM的扩展 27465H 11.2.1　RAM的基本结构 图11-8　RAM的结构框图 27465H 11.2.2　RAM的工作原理 1.存储矩阵　存储矩阵由许多存储单元排列而成，每个存储单元存储一位二进制数1或0。2.地址译码器　在RAM中，为了压缩地址译码器的规模，一般将其分为行地址译码器和列地址译码器两部分。3.读／写控制电路　读／写控制电路用于对电路的工作状态进行控制。 27465H 11.2.3　RAM的扩展 1.位扩展方式　当使用单片RAM的位数不够时，就要进行位扩展。2.字扩展方式　当所用单片RAM的字数不够时，就需要字扩展。3.字、位扩展　当RAM的位数和字数都需要扩展时，一般是先进行位扩展，然后再进行字扩展。 27465H 图11-9　RAM的位扩展 27465H 图11-10　RAM的字扩展 27465H 图11-11　RAM的字位扩展 27465H 11.3　可编程逻辑器件 11.3.1　PLA11.3.2　PAL11.3.3　GAL 27465H 11.3　可编程逻辑器件 图11-12　PLD的基本结构 27465H 11.3　可编程逻辑器件 表11-3　PLD分类 图11-13　与门和或门的简化画法 27465H 11.3　可编程逻辑器件 图11-14　输入缓冲电路的画法 27465H 11.3　可编程逻辑器件 图11-15　PLD器件中连接的习惯画法 27465H 11.3　可编程逻辑器件 图11-16　PLA的阵列结构 27465H 图11-17　例11-2图 27465H 11.3.2　PAL 图11-18　PAL、GAL的阵列结构 27465H 11.3.2　PAL 图11-19　编程后的PAL电路 27465H 11.3.3　GAL 1. GAL的结构特点2.输出逻辑宏单元　如图11-21所示是GAL的一个输出逻辑宏单元的逻辑图，图中的或门表示固定或阵列的一组，它的8个输入端和与阵列的输出相连。3. OLMC的5种工作模式　在结构字的控制下，GAL的输出逻辑宏单元可以有5种工作模式：专用组合输入模式、专用组合输出模式、带反馈的组合输出模式、时序逻辑中的组合输出模式、时序型输出模式。 27465H 图11-21　GAL的输出逻辑宏单元的逻辑图 27465H 第10章　数模与模数转换器 10.1　D／A转换器10.2　A／D转换器10.3　数据采集系统简介 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 27465H 10.1　D／A转换器 10.1.1　权电阻网络D／A转换器10.1.2　T形电阻网络D／A转换器10.1.3　倒T形电阻网络D／A转换器10.1.4　集成D／A转换器及主要技术参数 27465H 10.1.1　权电阻网络D／A转换器 图10-1　权电阻网络D／A转换器电路 27465H 10.1.2　T形电阻网络D／A转换器 图10-2　T形电阻网络D／A转换器电路 27465H 10.1.2　T形电阻网络D