电工电子技术基础 第2版 申凤琴 第5章新.pptVIP

杂质半导体—N型半导体 杂质半导体—Ｐ型半导体 PN结的形成 PN结的单向导电性 外加正向电压 正偏导通，呈低阻状态，电流较大 PN结的单向导电性 外加反向电压 反偏截止，呈高阻状态，电流近似为零 ＰＮ结具有单向导电性 正偏：在ＰＮ结上加正向电压时，ＰＮ结电阻很低，正向电流较大，ＰＮ结处于导通状态。 3 应用实例 放大电路输出电压与输入电压的比值叫作电压放大倍数，定义为 (5-12) 式中, 负号表示输出电压与输入电压反相。如果电路中输出端开路（ = ∞），则 （3）交流参数的计算 ①电压放大倍数 放大电路对信号源（或前一级放大电路）而言，是一个负载，可以用一个动态电阻来等效，这个动态电阻就是放大电路的输入电阻 。其定义为 ∥ (5-13) (5-14) 一般 ②输入电阻 输出电阻越小，带负载能力越强。 放大电路对负载（或后一级放大电路）而言，是一个信号源，其内阻即为放大电路的输出电阻 。它是一个动态电阻。在输入信号短路（ =0）和输出端开路（ = ∞）的条件下，在输出端加上电压 ，若产生的电流为 ，则 因为 所以 = (5-15) 故 ③输出电阻 三、分压式偏置电路 基本共射极放大电路的特点： 优点：结构简单，电压和电流放大作用都比较大， 缺点：静态工作点不稳定。 静态工作点不稳定原因：电源电压波动、电路参数变化、晶体管老化等，但主要原因是晶体管特性参数（ 、β、 ）随温度变化造成的。 例如，当温度升高时，对于同样的 ，输出特性曲线将上移。严重时，将使晶体管进入饱和区而失去放大能力。实用的分压式偏置电路如图5-14。 图5-30 分压式偏置电路 (2)．负载电压和电流 全波整流电路的整流电压的平均值Uo比半波整流增加一倍，即 Io=0.9 Uo=2×0.45U2=0.9U2 (8-3) (8-4) (3) 二极管承受的最高反向电压 由桥式整流电容滤波电路图5-12可知，二极管承受的最高反向电压UDM= U2。 第二节 晶体管 一、晶体管的结构和符号 1 ．结构和符号 晶体管的结构示意图如图5-15a所示，分为NPN型管和PNP型管。为了收集发射区发射过来的载流子以及便于散热，要求集电结面积较大，发射区多数载流子的浓度比集电区大，因此使用时集电极与发射极不能互换。晶体管的图形符号如图5-14b所示，符号中的箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。 图5-15 晶体管的结构和图形符号 结构 图形符号 2 ．外形 图5-16 几种常见的晶体管的外形结构 1．晶体管的工作电压 图5-17 晶体管的工作电压 NPN PNP 图5-18 晶体管电流的实验电路 2 ．晶体管各个电极的电流分配 实验电路如图5-18所示。此电路称为晶体管的共发射极放大电路。 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.01 /mA 3.95 3.10 2.30 1.50 0.70 0.01 /mA 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 /mA 表5-1 晶体管电流测量数据 从表5-1中的实验数据可以找出晶体管各极电流分配关系 （5-5） 3．晶体管的电流放大作用 从表5-1中的实验数据还可以看出： ，而且当调节电位器RP使 有一微小变化时，会引起 较大的变化，这表明基极电流 （小电流）控制着集电极电流 （大电流），所以晶体管是一个电流控制器件，这种现象称为晶体管的电流放大作用。 三、晶体管的特性曲线 1．输入特性曲线 图5-19 输入特性曲线 2. 输出特性曲线（图5-20） （1）截止区 发射结零偏或反偏，集电结也反向偏置。 （2）放大区 发射结正向偏置，集电结反向偏置。 与 成正比关系。 （3） 饱和区 发射结和集电结均处于正向偏置。晶体管失去放大作用， 处于“饱和”状态。 称为晶体管的饱和压降，此值很小，约为0.3V