第1章 PN结二极管.pptVIP

* 雪崩击穿 ● N P xm ● ○ E ● ○ ● ○ 二极管反向电压大，势垒区电场E大，载流子通过势垒区加速运动获得足够的动能，运动中与晶格原子碰撞，使原子外层价电子碰撞电离，产生新的电子—空穴对； 新产生的载流子在强电场中获得足够的动能与晶格原子碰撞，产生第二代电子—空穴对，连续碰撞使载流子数倍增（雪崩倍增），反向电流迅速增加； 由碰撞电离决定，杂质浓度低，势垒宽度 xm大，反向电场大，易发生雪崩击穿。 * 雪崩击穿与隧道击穿的区别 雪崩击穿与隧道击穿都在强电场作用下发生且可逆 雪崩击穿 隧道击穿 取决于碰撞电离（xm宽，载流子加速获得能量，电场强），低掺杂结 取决于隧道几率（禁带水平距离d小，xm窄，电场强），重掺杂结 光照或快速粒子轰击等可产生碰撞电离 光照等外界作用没有影响 温度升高，碰撞电离作用降低，击穿电压增加，VB6V 温度升高，禁带宽度减小，隧道几率增加，击穿电压降低，VB4V * 2 雪崩击穿电压 雪崩击穿条件 一个载流子通过势垒区碰撞电离所产生的电子空穴对数为： 实验分析表明： 一般 g = 7 Si-PN结： Ge-PN结： 电场与位置有关，则电离率也与位置有关。 电离率αi ——在电场作用下，一个载流子漂移单位 距离碰撞电离产生的电子空穴对数。 *