标准书号54-55 308-05421 第七章新.pptVIP

模拟电子技术及应用 作者：赵玉玲 第七章直流电源 7.1 可控硅及其伏安特性 7.2 可控硅整流电路 7.3 可控硅的触发电路 7.4 可控硅的保护和防失控措施 7.5 可控硅的其他应用实例 7.6 双向晶闸管、双向二极管的结构和伏安特性 7.7 直流稳压电源 7.8 开关型稳压电路 § ７- １　可控硅及其伏安特性 ７- １- １　可控硅的结构和符号 ７- １- ２　可控硅的工作原理 可控硅的工作特点有以下三点： 可控硅导通必须具备两个条件：一是可控硅阳极与阴极间必须接正向电压，二是控制极与阴极之间也要接正向电压； 可控硅一旦导通后，降低或去掉控制极电压时，可控硅仍然导通，即失去控制作用； 导通后的可控硅要关断时，必须减小其阳极电流，使其小于可控硅的维持电流 一只 ＮＰＮ 型三极管与一只 ＰＮＰ 型三极管组成 ７- １- ３　可控硅的主要参数 额定正向平均电流 维持电流 控制极触发电压和电流 正向阻断峰值电压 反向阻断峰值电压 ７- １- ４　可控硅的型号及简易检测 一、型号 二、简易检测 简易的检测方法如下： 检测阳、阴极正反向是否短路。可用万用表Ｒ×１ｋΩ电阻档测试阳、阴极间的正反向电阻，都应很大（指针基本不动），否则元件内部有短路或元件性能不好 检测控制极是否短路或断开 § ７- ２　可控硅整流电路 ７- ２- １　单相半波可控整流电路 ω t＝α 时，控制极加有触发电压uｇ ，则可控硅具备了导通条件而导通 在α ＜ω t＜π期间，尽管uｇ 在可控硅导通后即已消失，但可控硅仍旧保持导通状态 当ω t＝π时，交流电压u2＝０，可控硅自行关断 在u 进入负半周后，可控硅承受反向电压，呈反向阻断状态 在角度０～α 期间，可控硅正向阻断；在α ～π （即θ）期间，可控硅导通 ７- ２- ２　单相桥式可控整流电路 桥式整流输出电压u’2对可控硅ＳＣＲ 来说是正向电压，因此只要合适的触发电压uｇ到来，ＳＣＲ 即可导通。 如忽略它的正向压降，则负载电压uL将与u’2对应部分相等。 当u’2经过零值时，可控硅ＳＣＲ 自行关断，在u’2的第二个半周中，电路将重现第一个半周的情况 § ７- ３　可控硅的触发电路 ７- ３- １可控整流对触发电路的要求 触发电压必须在可控硅承受正向电压时加到它的控制极上 触发电压只需要短时间存在，因此常用脉冲电压（电子技术中把瞬间突变、作用时间极短的电压或电流称为脉冲信号，简称脉冲） 触发脉冲应有一定的幅值和功率，并有足够的移相范围，以达到能够改变控制角之目的 触发脉冲与可控整流电路的交流电压频率相同，并保持一定的相位关系，即触发电路输出脉冲与整流主电路输出电压必须“同步” ７- ３- ２　单结晶体管触发电路 一、单结晶体管的结构和型号 二、单结晶体管的负阻特性 所谓负阻特性，就是当发射极电流增加时，发射极电压uE反而减小 三、单结晶体管振荡器 电源接通后，VB通过Re 向电容C 充电，使uE逐渐上升。 在uE达到单结晶体管峰点电压前，单结晶体管截止，电阻R1上流过电流极小，u0≈０ 在电容充电使uE达到单结晶体管导通的峰点电压后，电容器通过Rb1、R1放电， uE迅速下降 当 uE降至谷点电压时，ｅ、ｂ１ 间又转为高电阻截止状态，电源再次通过 R 四、带有同步触发电路的可控整流电路 § ７- ４　可控硅的保护和防失控措施 ７- ４- １　可控硅的保护 一、可控硅的过电流保护 可控硅过电流保护方法有：快速熔断器保护、灵敏继电器保护和过载截止保护等。 其中快速熔断器保护应用最为广泛 这里着重介绍快速熔断器保护法 快速熔断器在电路中的位置可以在整流电路的交流侧，图中 ＦＵ1 ，也可在整流电路的直流侧与可控硅或负载串联，图中ＦＵ2 。 二、可控硅的过电压保护 阻容吸收回路能够起过压保护作用的道理，从能量角度上讲，是把电路切断时电感中的磁场能量转变为电场能量储存在阻容吸收回路的电容器中，然后通过电阻放电，把能量逐步消耗在电阻上 ７- ４- ２　带感性负载时的防失控措施 通常是在负载两端并联二极管来解决，当交流电压u２ 过零时，感应电动势使Ｄ 导通，产生的电流可通过 Ｄ 形成回路电流。 这时，Ｄ 的两端电压近似为 ０，可控硅受反向电压而迅速关断。 § ７- ５　可控硅的其他应用实例 ７- ５- １防盗报警器（断线报警器） 当开关 Ｓ 闭合后，电路处于值班状态，可控硅触发极ｇ 被B 、D 间导线短路而使可控硅截止 当短路导线被弄断时，电源Ｇ 经 R １ 和 R ２ 的分压使 ｇ 极获得触发电压，可控硅导通，防盗报警器（蜂鸣器）Ｈ 即发声报警 ７- ５- ２　多路抢答器 § ７- ６双向晶闸管、双向二极管 的结构和伏安特性 ７- ６- １双向晶闸管的结构和伏安特性 一、