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一、ITO簡介 二、BITO制程 磁控直流溅镀法 利用电场使惰性气体(Ar)内少量的自由电子获得动能，碰撞气体分子使其游离成正离子(Ar+ ) 和电子，电场中的正离子(Ar + ) 受靶材负偏压的吸引，加速撞击靶材(target)，藉由动量转换, 将靶材原子撞击出来，沉积在基板上。 Cathode （阴极） Anode （阳极） Target (靶材） Substrate （基板） Ar+ + _ Pump （泵浦） Chamberwall（腔体） 二、BITO制程 在阴极后方加上磁控系统，电子受磁场及电场作用会呈螺旋状运动，加长在电浆中的行进路径，来增加电子碰撞气体分子机率。并增加Ar + 碰撞靶材的次数，提升溅镀效率并减少阴极放电电压。 磁控直流溅镀法 二、BITO制程 将磁控系统增加马达来回移动，一方面可以增加利用面积，进而减少回溅物的沉积;另一方面则可提升靶材使用率约5~10 %。左上图为固定式磁控系统;左下图为移动式磁控系统。 移动式磁控系统 二、BITO制程 镀膜设备系统结构： 一、镀膜机台LD 二、镀膜腔体 第一室：傳入室 第二室：傳入緩衝室 第三室~六室：成膜室 第七室：載出緩衝室 第八室：取出室 三、大气回流系统 四、镀膜机台ULD 第七室/載出緩衝室、第八室/取出室：功能与第二、一室 相同，作用相反，是让台车从高真空过渡到大气中。 二、BITO制程 镀膜设备系统结构： 一、镀膜机台LD 二、镀膜腔体 第一室：傳入室 第二室：傳入緩衝室 第三室~六室：成膜室 第七室：載出緩衝室 第八室：取出室 三、大气回流系统 四、镀膜机台ULD 三、大气回流系统 四、镀膜机台ULD： 从镀膜腔体出来的台车经过 平移机构、大气回流系统，到镀 膜机台的ULD,人员从ULD取片， 装箱。 二、BITO制程 洗淨 镀膜 ITO特性抽检 外观抽检 报废 NG OK 包装出货 细项 检查项目 ≥6H 依TCN规格 镀膜后外观全檢 ＜2kΩ/□ ≥ 90% 150± 50 ? ITO特性要求抽检 膜厚首件檢查 透过率首件檢查 表面電阻全檢 镀膜硬度首件檢查 二、BITO制程 反射分光膜厚机：大塚科技 FE-300 工作原理：由光譜儀從待測物去的反射率光譜后，再由程序進行計算，最後求的膜厚值。 薄膜到厚膜（10nm~40um） P* * BITO技術報告 MLCM產品工程部產品二课 許津津 目 录 一、ITO簡介 1、ITO名詞解釋 2、ITO歷史發展 3、ITO特性 4、ITO製造流程 5、ITO應用 二、BITO制程 1、爲何要在液晶面板上鍍ITO 2、鍍膜方法簡介 3、BITO Layout流程簡介 3.1 洗淨 3.2 鍍膜 3.3 ITO特性值抽檢外觀檢 * 一、ITO簡介 1、名詞解釋 ITO（Indium tin oxide ）：是在氧化铟中掺杂氧化锡（质量比为In2O3：SnO2=9:1）,并采用一定的热处理工艺得到的一种n型半導體材料 B-ITO: Back side Indium tin oxide ：CF背镀氧化铟锡 * 一、ITO簡介 2、ITO歷史發展　　 19世纪末 在光电导的材料上获得很薄的金属薄膜 1970年代 在In2O3里掺入氧化錫，使透明導電薄膜得到廣泛應用 二戰期間開發SnO2 主要應用于飛機的除冰窗戶玻璃 一、ITO簡介 3、ITO特性 優點： ⑴膜层导电性能好（氧化錫導電能力強）,电阻率可达10 - 4Ω·cm; ⑵膜层可见光透过率高（氧化銦透光率高）,可达85 %以上; ⑶膜层加工性能好，易于蝕刻; ⑷膜层硬度高、耐磨、化学穩定; ⑸膜层对紫外线具有良好的吸收性,吸收率不小于85 %（禁帶寬度爲3.75ev）; 缺點： （1）具有較強的吸水性，易吸收空氣中的水、CO2。 注：半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价电子），不能够导电，即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带（即本征激发）而产生出自由电子和自由空穴后，才能够导电。 ITO薄膜的良好導電性 N型半導體導電機制有兩種，一種雜質摻雜機制，另一種則為氧空位機制 由於 Sn4+ 取代 In3+ ，提供額外的電子 氧空缺 提供兩個額外的電子。 (O2→2Vo¨+2e-) 3、ITO特性　　 一、ITO簡介 ITO薄膜的良好透光率 禁帶寬度約為3.5-4.3 eV，可見光波長範圍對應的能量為1.7-3.1 eV，不足以讓電子在能帶間躍遷而產生光的吸收，故在可見光範圍內有很高的穿透度； 紫外綫的禁帶寬度爲3.75ev，因此具有良好的吸收性； 注：禁带宽度(Band g