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在淀积SiO2时，掺入含磷的杂质如磷烷（PH3）, 生成含有P2O5的SiO2称为磷硅玻璃（PSG）； 4PH3(g)+5O2(g) → P2O5(s)+6H2(g) PSG的特点：应力小，阶梯覆盖较好；可吸收碱性离子；P2O5遇水汽会水解为磷酸，因此对水汽阻挡能力差；软化温度低于未掺杂CVD-SiO2； 衬底淀积PSG之后，通过软化温度的退火使PSG回流，使衬底表面趋于平坦； PSG浓度高时，有很强的吸潮性，磷控制在6~8wt%； CVD-PSG之后再高温退火回流，是超大规模集成电路工艺中一种重要的平坦化工艺技术； 7.4.1CVD-SiO2特性与用途 7.4.1CVD-SiO2特性与用途 7.4.1CVD-SiO2特性与用途 在淀积磷硅玻璃反应气中掺入硼源（B2H6）形成B2O3-P2O5-SiO2 三元氧化物薄膜，即CVD-BPSG； BPSG回流平坦化温度为850℃，最低达750℃； 硼的浓度每增加1%，回流温度降低约40 ℃。当浓度大于5wt%时，将发生结晶。BPSG中硼的浓度不超过5%。 BPSG流动性取决于薄膜的组分、工艺温度、时间与环境气氛； 可用作绝缘层、钝化层，表面平坦化； CVD-SiO2不同应用的特性要求： 介质薄膜，介电特性很重要； 掺杂掩蔽，抗腐蚀性很重要； 保护膜，薄膜成分和稳定性很重要； 低温淀积SiO2薄膜的密度低于热生长SiO2，其折射系数n约为1.44（热氧化n=1.46）。当 n1.46,薄膜富硅；当 n1.46, 为低密度多孔薄膜。 7.4.1CVD-SiO2特性与用途 7.4.2APCVD-SiO2 1. SiH4/O2淀积SiO2 采用硅烷/O2系统低温淀积SiO2，一般反应温度在450~500 ℃。通入N2或Ar2将SiH4稀释很低的浓度，一般2%~10%，反应为： SH4(g)+O2(g) → SiO2(s)+2H2(g) 温度在310 ~450 ℃时，淀积速率随着温度的升高而缓慢增加；温度升高到450 ℃时，衬底表面吸附或者气相扩散将限制淀积速率； 低温淀积SiO2膜可在700-1000℃退火致密化，使SiO2膜的密度从2.1g/cm3增至2.2g/cm3，在HF溶液中的腐蚀速率也会降低。 可作为多层金属铝布线之间的绝缘层； PSG在APCVD中的淀积速率 7.4.2APCVD-SiO2 恒定温度时，增加O2对SH4的比率可提高淀积速率，增加到一定比例时，淀积速率开始下降。过量的O2阻止了SiH4的吸附和分解。 对高浓度的氧气氛，O2:SiH4=30:1，淀积速率随温度升高急剧增加，表面反应速率限制； 对低浓度的氧气氛，O2:SiH4=2.5:1，淀积速率随温度升高略有下降。 2. TEOS(正硅酸四乙酯)/O3 采用TEOS/O3为反应剂的APCVD是低温工艺，温度约为400 ℃，反应式为： Si(C2H5O)4+8O3 → SiO2+10H2O+8CO2 优点： TEOS与二氧化硅的黏滞系数低，表面再发射能力强，对高深宽比孔洞和沟槽等衬底的覆盖能力、填充能力优良，薄膜均匀性好； 电学特性好，作为绝缘介质的薄膜，用来形成多层布线金属层之间绝缘层淀积（PSG和BPSG）； 避免PECVD工艺对硅片表面的损伤； SiH4/O2和TEOS/O3方法结合： TEOS/O3能够改善薄膜的台阶覆盖特性； SiH4/O2减小在淀积厚膜是带来的张应力和减弱TEOS/O3对下面膜层的敏感度。 7.4.2APCVD-SiO2 7.4.2LPCVD-SiO2 TEOS、TEOS/O2淀积SiO2 中等温度工艺温度650-750 ℃，TEOS 淀积的SiO2薄膜有更好的保形性；淀积温度: 680-730℃, 速率约25nm/min，反应式为： Si(OC2H5)4?SiO2+4C2H4+2H2O 加入足够O2能够改变淀积SiO2薄膜的内部应力； Si(OC2H5)4+12O2?SiO2+8C2O2+10H2O 比低温工艺淀积的SiO2薄膜致密度高； 加入PH3增加淀积速率，对薄膜均匀性无影响； 以硅烷类为硅源淀积SiO2 与APCVD方法类似，采用SH4/O2； 缺点：LPCVD是热壁反应器，而SiH4低温分解，在进入反应室之前SiH4发生气相反应产生颗粒，被消耗掉。LPCVD采用SiH4/O2淀积SiO2以及更很少使用了。 7.4.4 PECVD-SiO2 特点：PECVD-SiO2薄膜应力小，不易开裂；保形性好，更均匀，真空也少： 含有氢。 2.当N2O:SiH4的比例比较低时，形成富硅薄膜; 3.富硅薄膜的折射系数