M5358可以替代启达CR6228.docxVIP

概述 M5358是一款高度集成的电流模式PWM控制芯 片，,内置高压MOS,适合应用于高性能、低待机 功耗，低成本,离线AC-DC反激式拓扑结构，推荐 应用于功率27瓦以内的各种变换器。 M5358提供完善的各种保护以及自恢复功能，包 括逐周期电流限制（OCP）,过载保护(OLP),VDD 电压钳位和低电压锁定(UVLO)。电路具有抖频功 能以及软开关技术，保证了优秀的EMI性能，消 除了低于20KHz的音频噪声。M5358采用DIP8封 装。 特点 ? 开关软启动可降低MOSFET的VDS压力 ? 改善EMI的频率抖动技术 ??极低启动电流和工作电流 ??改善效率和待机功率最小化的扩展burst模式 ? 消除音频噪声 ? 50KHZ开关频率 ? 完善的各种保护以及自恢复功能 ? 逐周期电流限流 ? 芯片供电欠压保护 ? 自动重启功能 ? 采用DIP-8 封装 应用 ? 离线式AV-DC反激变换器 ? 手机充电器，上网本充电器 ? 笔记本适配器，机顶盒电源 典型应用电路图： 输出功率表 说明:连续工作的最大功率是在开放的 50 度环境中，且转换器有有足够的散热条件下测得。 ? 各种开放式开关电源  产 品 230VAC±15% 85-265VAC 开放式 开放式 M5358PR 27W 16W  定购信息： 最大极限参数： 注：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能 正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能 指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精 度，但其典型值合理反映了器件性能。 管脚封装图 管脚描述： 管脚名称 I/O 描述 GND P 芯片地 INV  I 反馈信号输入端，PWM占空比由该脚的电压 以及SEN脚的电流决定 VDD-G P 内部栅极驱动电压 SEN I 电流采样信号输入端 VDD P 芯片电源 Drain  O 内部高压功率管漏极， 该脚连接到变压器 的初级绕组输出端  定购型号 封装 温度范围 包装形式 M5358PR DIP8 -40 ℃到 105 ℃ 管装 50 颗/管 2000/盒  参数 数值 内部高压功率管漏极（启动） -0.3V ~ BVdss 芯片电源电压 -0.3V ~ 30 V 内部栅极驱动电压 -0.3V ~ 30 V VDD钳位电流 10mA INV输入电压 -0.3 ~ 7V SEN输入电压 -0.3 ~ 7V 最低/最高工作结温 -20 ~ 150℃ 最低/最高储存温度 -55 to 150℃ 过锡炉温度（10S） 260℃  电气参数 （无特别说明情况下，VCC=16V, TA=25℃） 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 工作电压 I_start up VDD 启动电流 VDD=14.5V  5 20 uA I_VDD_Operation VDD 工作电流 V_INV = 3V  1.6  mA VDD_UVLO(ON) VDD 欠压保护（开启）  8.7 9.7 10.7 V VDD_UVLO(OFF) VDD 欠压保护（关闭）  14.6 15.8 17.0 V OVP（ON） VDD 过压保护（开启） CS=0V,INV=3V, 增 大 VDD 直到 GATE 时钟关闭 27 28.5 30 V VDD_Clamp VDD 钳位电压 IDD=10mA  30  V INV 反馈 VINV_OPEN INV 开环电压  5.4 5.7 6 V IINV_Short INV 短路电流 INV 接到地  1.45  mA VTH_OD 过零点门槛电压   0.8  V VTH_PL 功率限制门槛电压   3.7  V TD_PL 功率限制延迟时间   50  m Sec ZINV_IN 输入阻抗   4  K ohm 电流采样 Soft_start_time 软启动时间   4  m S T_blanking 电流采样前沿消隐时间   270  n s Z SEN_IN