alganga mos-hemt器件特性研究.pdfVIP

摘要 摘要 国内外的研究报道表明，高性能AIGaN／GaN异质结器件在大功率微波领域的 应用有较大的优势，然而从AIGaN／GaN异质结器件诞生以来伴随的界面缺陷、陷 阱电荷以及较大的栅泄漏电流等问题严重制约了这种器件的应用。因此，针对抑 制栅泄漏电流和减少表面态的绝缘介质钝化工艺和金属氧化物半导体(MOS)结构 就成为研究的热点。另外，GaN作为宽禁带半导体材料有高温应用的优势， AIGaN／GaN异质结器件的温度特性研究也至关重要。 本文采用原子层淀积(ALD)实现了10rimA1203为栅介质的高性能AIGaN／GaN 泄漏电流的优势。通过分析MOS．HEMT器件在30．180℃之间特性的变化规律，与 国内报道的传统MES．HEMT器件随温度退化程度对比，发现了器件饱和电流和跨 导的退化主要是由于输运特性退化造成的。另外本文分析了电容随温度变化曲线 时发现，两种器件有较大的不同，作者假设为A1203与A1GaN之间良好的接触特 性减少了表面陷阱电荷，通过拟合阈值电压随温度的变化曲线，定量证明了这个 结论。从而全面说明了栅介质减小了引入A1GaN界面的表面态是提高特性的重要 原因。 关键词：AIGaN／G