新型应变sgosoi mosfet的结构设计及性能分析.pdf

摘要 应变硅材料迁移率高、能带结构可调，且其应用与硅工艺兼容，是当前国内 外关注的研究领域和研究发展重点，在高速／高性能器件和电路中有极大的应用前 景。而基于S01技术的新型器件被认为是纳米范围内具有应用前景的器件结构。 本文从器件结构、物理模型等方面对新型应变SGOI／SOIMOSFET进行了分析研 究。主要的研究工作和成果如下： 1．在SOI结构的基础上引进应变硅沟道，研究了堆叠栅介质全耗尽应变SGOI MOSFET新型器件，并对其特性作了一些初步探索。研究了该器件的制备工艺， 分析了该器件的电学特性，给出了其能带结构及其它参数的应变模型。基于精确 求解二维泊松方程，建立了堆叠栅介质全耗尽应变SGOI MOSFET精简的二维表 面势解析模型、二维阈值电压解析模型和亚阈值斜率模型。分析结果表明该结构 的器件能较好的抑制短沟道效应(SCE (DIBL 验证了以上模型。结果表明理论计算模型和ISE模拟二者结果吻合较好。 提出了一种新型的高k栅介质应变硅全耗尽SOlMOSFET结构。通过求解二 维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型。在该模型中考虑了影响阈值电