新型非易失性半体存储器件及电路研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 随着微电子技术的不断发展，半导体工艺也不断向更小尺寸推进。由于受到 器件性能要求的限制，目前主流的基于 MOS 结构的 Flash 非易失性存储器的可 缩小性受到限制。为了克服当前非易失性半导体存储技术发展所面临的困难，目 前国际上学术界和工业界的研究主要聚焦在两种有潜力和希望的下一代非易失 性存储技术上——阻变型非易失性存储技术和纳米晶浮栅结构的非易失性存储 技术。这里以寻找适合应用的新型非易失性半导体存储技术为目标，基于上述两 种新型非易失性存储技术作为研究对象，分别针对两个研究方向——对阻变型非 易失性存储器单元电路的结构设计和性能研究，和对纳米晶浮栅结构的非易失性 存储器件的结构和材料改进，展开了研究工作。 阻变型非易失性存储技术（RRAM ）的数据存取速度能与静态随机存储器 （SRAM ）相匹敌，而可实现的存储容量能赶上NAND 型的 Flash 存储器件。并 且 RRAM 两端的器件结构简单，制备工艺兼容于传统的半导体加工技术，器件 的可缩小性良好，且相对于 CMOS 工艺的步骤更加简化，生产成本更低。阻变 型非易失性存储器相对于传统的半导体存