新型硅基光子晶调制器研究.pdf

摘要 硅被认为是集成光电子技术重要材料的历史并不长，但在硅材料上制作光器 件可以较好的和成熟的CMOS工艺相兼容，有利于将来光电子器件的单片集成。 在硅基光电子技术领域中，光调制器作为重要的有源光电子器件，硅调制器却受 限于硅的自由载流子色散效应，其调制速度和尺寸都受到限制。电光聚合物具有 很高的线性电光系数和极高的响应速度，通过把电光聚合物填充到狭缝波导中， 可以在低折射率区(聚合物区)实现高强度光场聚集，这种结构被应用到调制器 中将有助于实现大带宽和低调制电压。 传统光调制器受限于普通波导结构，很难实现亚波长级的集成。随着硅基纳 米结构制造工艺的不断进步，波长量级或亚波长量级周期性结构，即光子晶体， 在控制光传输方面越来越引起广泛的关注．光子晶体波导通过光子带隙对光的传 输限制，通过在光子晶体中引入线缺陷或点缺陷，可以实现光的传播或局域化． 本论文结合硅基光子晶体结构，狭缝结构和电光调制，对新型的调制器提出 自己的设计和实验尝试，基于平面波展开法和三维时域有限差分法，主要在以下 四个方面做出有创新意义的理论工作： 1．提出新型基于水平狭缝平板二维光子晶体结构的调制器．器件通过控制狭 缝中聚合物电光效应实现调制功能。水平狭缝平板结构用来