硅基应变器件应引入方法研究.pdfVIP

摘 要 随着集成电路产业的发展，采用传统的缩小晶体管尺寸的方法来提高晶体管 性能越来越受到成本和技术的限制。寻找新材料，新衬底，新器件结构成为进一 步提高晶体管性能的首选。应变硅技术通过在传统的体Si器件中引入应力可以提 高载流子的迁移率，且应变CMOS以体Si工艺为基础不需要复杂的工艺，因而正 在作为一种廉价且高效的技术得到越来越广泛的应用。 由于晶格常数的改变，应变硅中载流子的迁移率高于普通硅材料，这是应变 硅MOSFET性能提高的根本原因。本文基于能带理论研究了影响迁移率提高的因 素。 应变硅的应力如何引入是进行其它方面性质研究的基础。本文对各种主要的 应力引入方法：全局应变、工艺致应变、后工艺致应变、混合晶向技术和机械应 变等进行了仔细的研究和探索，重点介绍了工艺致应变中的浅沟槽隔离和应力衬 垫技术。在浅沟槽隔离方法中，对影响STI应力大小的因素、应力分布及与版图 的关系进行了重点研究，对参数STIW建立的模型可以嵌入到BSIMSPICE程序 中，提高了电路的仿真性能。在应力衬垫技术方法中重点研究了氮化硅薄膜的制 备方法，对具有压应力和张应力的PECVD法氮化硅薄膜应力的基本产生机理进 行了描述。提出了两步UV处理法进行张应力氮化硅的制备，还对高压应力氮化硅