横向变厚度so ldmos的结构和工艺设计技术研究.pdfVIP

摘要 摘要 SOI横向功率器件是S01功率集成电路(PowerIntegrated 功率系统(PowerOna SystemChip，PSOC)的核心器件，高电压大电流是其工作的基本 状态，但是由于材料结构的特殊性，SOI中的埋层不但阻止了衬底参与耐压，而且强烈恶 化了横向电场，使得击穿电压急剧降低。虽然众多研究人员提出了各种各样的措施来改善 SOI的击穿特性，但是却又带来导通电阻增加以及为了制造某些特殊结构使得制造成本增 加的副作用，同时对器件性能的改善也很有限。 LateralThickness， 本课题组提出了～种新型横向耐压技术——横向变厚度(Varied ⅥJ)技术，初步研究表明，基于此技术设计的SOILDMOS器件，具有击穿电压高、导 通电阻小的特点。VLT技术的最大难点在于从工艺上如何制造从源到漏逐渐变化的漂移区 厚度，为此本文从以下几个方面对这种新型横向耐压技术的制造工艺进行了研究。首先研 究