氧化锌薄膜光学向异性和电光效应的研究.pdfVIP

摘要 2l世纪是信息技术时代，材料则是推动信息的原动力，半导体材料的研究 和开发一直是人们研究的重点之一。ZnO半导体材料是继GaN和SiC之后的又 一种第三代半导体材料，其在晶格常数和禁带宽度等方面与GaN很相近。ZnO 和GaN相比具有很多优点，例如，具有更高的熔点、更高的化学稳定性、更强 的抗辐射能力、更高的激子束缚能、更低的制作成本、更丰富的源材料、更多的 匹配衬底材料以及更好的光电集成特性。因此，ZnO是一种用于短波长光电器件 的理想材料，极具开发和应用价值，开展氧化锌薄膜光学各向异性和电光效应的 研究将有利于人们深入了解ZnO基半导体材料的性质，为ZnO基半导体材料在 短波长光电器件中的应用奠定扎实的基础。 本文使用分子束外延生长方法(MBE)在蓝宝石(0001)面上生长了本征 了n型GaN薄膜，并以n型GaN薄膜为基底，用MBE方法进一步生长ZnO、 MgO、以及不同厚度的MgO／ZnO超晶格薄膜样品。接着，对样品进行AFM、 SEM、PL、以及透射谱表征。AFM结果表明各个样品表面都较为平整，粗糙度 都较小。PL谱和透射谱的测试结果表明n型GaN薄膜的外延质量较好，在n型 GaN薄膜上成功制备了ZnO和超晶格的层状薄膜结构。使用扫描