硅纳米晶存储器靠性研究.pdfVIP

纳米晶存储器因其分立存储的特性解决了传统浮栅存储器在垂直堆栈尺寸 缩小时所面临的隧穿氧化层厚度和电荷保持能力之间的矛盾。低成本、工艺参数 易控制、可微缩化、与传统CMoS工艺相兼容等优势更是让硅纳米晶存储器被 认为是下一代非挥发存储器的重要候选。硅纳米晶存储器高保持特性的优势使其 在嵌入式及汽车电子方面有着非常广阔的应用前景。然而其特殊的物理结构决定 着较为复杂的耐受特性退化机理。目前，耐受特性的提高已然成为硅纳米晶存储 器所面临的重大挑战，甚至已经成为阻碍其量产的重要原因。 受特性，深入开展了其耐受特性退化机理的研究。 首先详细介绍了一些用于器件性能表征及可靠性研究的技术手段及方法。 电容．电压(CV)曲线及电流．电压(Id-Vg)曲线作为存储器件最基本的特性曲线常 常被用于器件窗口、擦写速度、耐受特性及保持特性等基本性能的表征。而准静 态．高频CV法、亚阈值摆幅(Sub_thrcsholdSwing)提取、电荷泵(Cha唱ePumping) 测试及中带电压(Mid．gapvohage)计算法可以更为深入的对器件做机理性的分 析。耐受特性、保持特性及阵列干扰测试是衡量器件可靠特性的基本参数。 我们采用弧阈值摆幅法、电荷泵方法和Ifl带电压三种方法对不同FN循环擦 写应力条件下的耐受特性退化机理进行了研究。对造成耐受特性