碳化硅纳米管气吸附特性第一性原理研究.pdfVIP

摘要 摘 要 纳米管具有庞大的表面积和中空结构，提供了大量气体通道，管体内外均可 吸附气体，表面活性高，在化学气体传感器方面具有独特的优势。与传统的传感 器相比具有更高的灵敏度、更快的响应时间，并能有效地减小传感器的尺寸，同 时以高灵敏度检测出周围环境中少量浓度(ppb级)的气体分子。碳化硅纳米管 (SiCNT)为半导体，与直径和手性基本没有关系，禁带宽度大，结构稳定性好，抗 氧化性强，使其在高温、强辐射等恶劣环境下应用具有潜在的优势，是气体传感 器的理想材料之一。通过掺杂可以改变碳化硅纳米管的电学特性，拓宽碳化硅纳 米管检测的气体范围，对碳化硅纳米管气体吸附特性的研究将为传感器的制备提 供必要的理论基础。论文对碳基、氮基气体吸附后对碳化硅纳米管电学特性的影 响进行了深入研究，通过分析气体吸附前后碳化硅纳米管输运特性的变化，系统 地分析了碳化硅纳米管气体传感器的工作机理。主要研究内容如下： 1．碳化硅纳米管碳基气体吸附特性研究 基于第一性原理的密度泛函理论模拟分析了本征及掺硼(8，O)碳化硅纳米管一 特性的影响。C02及CO气体与本征及掺硼碳化硅纳米管均可行成稳定的化学吸 附，气体吸附后，本征及掺硼