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电力电子技术复习课本内容 第一章 模拟电子技术 信息电子技术 信息电子技术 电力电子技术：应用于电力领域的电子技术，具体的说就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术 电力变换的种类 交流 直流 直流 整流 直流斩波 交流 交流电力控制变频、变相 逆变 交流变直流称为整流 直流变交流称为逆变 直流变直流是指一种电压（或电流）的直流变为另一种电压（或电流）的直流，可用直流斩波电路实现 交流变交流可以是电压或电力的变换，称做交流电力控制 第二章 电力电子器件 由于电力电子器件直接用于处理电能的主电路，因而，同处理信息的电子器件相比，她一般具有如下特征 电力电子器件所能处理的功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数。其处理点功率的能力小至毫瓦级，大至兆瓦级，一般都远大于处理信息的电子器件。 因为处理的功率较大，为了减少本身的损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作于开关状态 在实际应用当中，电力电子器件往往需要有信息电子电路来控制 尽管工作在开关状态，但电力电子器件自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，因而为了保证不至于因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏，不仅在器件封装上比较讲究散热设计，而且在其工作时一般都还需要安装散热器。 低频：通态损耗和断态损耗，因为断态电流极其微小，因而通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因 高频：开关损耗：开通损耗和关断损耗，当开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素 电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路、保护电路和以电力电子器件为核心的主电路组成 GTR的二次击穿现象与安全工作区 一次击穿：当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，及电机电流Ic迅速增大，这种击穿是雪崩击穿被称为一次击穿，只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时如不有效的限制电流，Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿，导致器件永久损坏，或者工作特性明显衰变。 安全工作区：将不同基极电流下二次击穿的临界点连接起来，就构成了二次击穿临界线临界击穿线上点反映了二次击穿功率Psb,这样，最高电压UceM、集电极最大电流 IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线就规定了GTR的安全工作区。 1. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK0且uGK0。 2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。 图1-43 晶闸管导电波形 解：a) Id1==()0.2717 Im I1==0.4767 Im b) Id2 ==()0.5434 Im I2 ==0.6741 Im c) Id3== Im I3 == Im 4. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少？这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少? 解：额定电流I T(AV) =100A的晶闸管，允许的电流有效值I =157A，由上题计算结果知 a) Im1329.35， Id10.2717 Im189.48 b) Im2232.90, Id20.5434 Im2126.56 c) Im3=2 I = 314, Id3= Im3=78.5 5. GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？ 答：GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益和，由普通晶闸管的分析可得，+=1是器件临界导通的条件。+＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；+＜1，不能维持饱和导通而关断。 GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同