适合体声波器件多层膜的制备与性能.pdfVIP

摘要 为了研制高频大功率的BAw器件所需的基底材料，本文构建制备了“AlN／Al／Si和 体材料，为纤锌矿性晶体结构，并且具有许多优异的物理性能，其较高的声波速度在GHz 级体声波器件等方面有着极其重要的应用。氧化锌(znO)晶体结构与AlN相同，它是 一类具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁带lI一Ⅵ族化合物半导体材料，正是其具有许多优 良的物理性质，ZnO薄膜在体声波器件方面也得到了广泛的应用。 利用射频磁控溅射法在Si衬底上制备AlN／Al／Si多层膜结构，着重研究了不同的后 期处理条件与衬底温度对薄膜性能的影响，采用了XRD，AFM等测试手段对薄膜进行 了分析，最终得出：(1)样品在实验结束后在压强1Pa条件下通入N2并持续加热lh后， 有利于AlN(002)晶面择优生长，并且经过后期处理后的薄膜表面比较平整，粗糙度得到 了明显的改善。(2)而不同的衬底温度对薄膜的形貌结构也有着重要的影响，研究表明， 当衬底温度为300℃时，薄膜主要按(002)晶面生长，所对应的表面粗糙度也最小。(3) 靶基距较小时，有利于(002)择优取向，且结晶质量更好，晶粒尺寸变大，晶粒排列致密。 此外，靶基距较小时所制备的砧N薄膜与基底结合的更牢固。 的条件下进行后期处理后发现，(002)