铜铟硒薄膜太阳电池相关材料研究.pdfVIP

摘要 本文首先对铜铟镓硒薄膜太阳电池的底电极钼电极进行了研究，结合实验室的磁控 溅射仪器的功率，氩气压，靶间距，衬底温度等沉积参数，在比较高氩压，低氩压情况 下沉积的两层钼膜结构，高氩压，桥梁氩压，低氩压情况下沉积的三层钼膜结构，发现 具有桥梁氩压所沉积的三层钼膜能承受更大的厚度，在相同厚度的情况下，三层钼膜具 阻测试仪等进行了检测。 采用溶剂热／水热法路线，研究了制备温度等工艺对合成CIS粉体物象等的影响。 本文以硝酸铜，硝酸铟，硒粉为主要原料，乙二胺为反应溶剂，在反应釜为制备仪器， 研究了不同反应温度，反应时间等合成条件下对反应物象和形貌的影响。结果表明：在 反应时间设定为18 h，18h，24h，30h，36 温度，在反应温度设定为180。C时，在12 h的制备时间里， 发现反应时间为30h时，能制得物象最纯的CIS粉体 透明导电薄膜由于其透明，导电的性质，使之成为太阳能电池电极材料(底电极， 透明导电薄膜的制备研究，主要制备仪器为磁控溅射仪，对制得的薄膜用霍尔测试仪，四 探针电阻测试仪，红外．紫外分光光度计等对薄膜的方阻，电阻率，透射率等进行了研 究。用射频磁控溅射沉积Nb205薄