阻变式存储器的质研究.pdfVIP

摘要 随着科学技术的进步，半导体制造工艺水平的提高，信息产业得到了快速发展。信 息存储作为信息技术的一部分也得到了空前进步，存储器正朝着集成度不断提高、外观 更加精巧、重量更轻、存取速度更快、存储容量不断增大的方向发展。传统意义上的存 储器是基于晶体管对电荷的存储而制造的，许多时候无法满足信息技术迅速发展的需 要，因此寻找一种高密度、非挥发性，低功耗的下一代存储器已经迫在眉睫。现阶段更 多的研究者们把关注的重点放在非易失性存储器上，例如铁电存储器，磁存储器，相变 存储器、电阻存储器。在这些存储器中，阻变存储器因自身的许多优点普遍受到了人们 的广泛关注，它具有结构简单、读写速度快、制造成本低、功耗低、单个器件可缩小至 数十纳米等特点，在众多的绝缘材料和半导体材料中纷纷发现这种新奇的电阻开关效 应。随着研究的不断进行，我们发现了阻变存储器许多新的有趣的现象：单极性电阻开 关和双极性电阻开关在一定的限制条件下可以相互转化；阻变存储器电学性质I．V曲线 的顺时针旋转和逆时针的旋转受到电形成过程的影响，可以通过控制电形成过程来控制 其旋转方向；我们在阻变存储器的研究中发现了无极性电阻开关和非常规双极性电阻开 关的存在，同时得出非常规双极性电阻开关在合适的条件下可以转化为常规性双极性电 阻