射频cmos集振荡器的研究与设计.pdfVIP

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  • 2015-12-23 发布于四川
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射频cmos集振荡器的研究与设计

中文摘要 中文摘要 随着深亚微米CMOS工艺的进步和射频集成电路技术的发展,在单个硅片 GHz 上实现整个射频收发系统已经成为可能。在目前的市场上,针对工作在10 以下的射频收发机,传统的GaAs工艺已经基本被CMOS工艺取代。如今,使 用RF CMOS工艺实现针对第二代(2G)和第三代(3G)标准的无线通信系统 已不再困难。新的通信标准对射频收发系统提出了更严峻的要求,特别是近年 来新提出的802.11ac协议,要求高达l Gbps的数据率,因此需要使用MIMO技 术和256QAM的调制方式,这就对收发机系统中的锁相环的相位噪声性能提出 了更高的要求。 振荡器是锁相环系统中最关键的模块,它的相位噪声性能决定了锁相环系 统的带外噪声性能。设计出输出频率调节范围高、相位噪声低的振荡器对整个 射频系统的设计有重要意义。对相位噪声的本质进行深入的理解,以及对振荡 器的工作原理和降低相位噪声的技术进行深入剖析,对于设计出性能优

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