抗工艺涨落的高能电压基准源设计.pdfVIP

摘要 摘要 近年来，由于集成工艺水平的提高，电路设计技术的不断改进，模拟集成电 路的设计得到较大的发展，同时对电路的性能提出新的挑战。目前随着便携式电 子系统的普遍应用，对模拟集成电路的各方面性能也有了更高的要求。基准电压 源广泛应用于各种模拟集成电路、数字混合信号集成电路和系统集成芯片中，是 集成电路中一个重要的单元模块，也是各种传感器，数模模数转换器电路中的基 本元件。它的温度稳定性和电源电压拟制比是影响整个系统精度和性能的关键性 因素。 基于基准电压源的重要性，论文基于SMIC CMOS工艺，研究并 O．189m1．8V 设计实现了一种抗工艺涨落的高性能基准电压源电路。论文首先简介了电压基准 源设计的基础，包括基准电压源的性能指标、分类、基本原理、基本结构；着重 分析了温度补偿、零温度系数的实现方法。经分析比较后，选择了传统结构的 CMOS带隙基准电压源作为设计的基础，分析其基本原理，分别从高精度和低电 源电压入手设计出带隙电压基准源的核心电路，针对前者，采用