器件仿真工具(DESSIS)的模型分析.ppt

下图是在常温下四种雪崩离化模型的电子和空穴电离系数 随电场的变化曲线，从图中可以看出vanOverstraeten- deMan模型、Lackner模型、Unibo模型的曲线比较吻合，而 Okuto模型显示的击穿临界电场明显比其他三种模型高。 如果一个PN结的空间电荷区宽度超过电子和空穴的平 均自由程，当外界加一个很大的反向偏压时，在空间电荷区 内产生很大的电场，当电场强度超过一定值，空间电荷区内 的电子和空穴获得足够大的能量，在与晶格碰撞的时候就能 把价键上的电子碰撞出来，形成导电电子，并留下一个空穴， 这就是雪崩倍增效应。这一过程中，载流子的平均自由程的 倒数叫做电离系数（α）。载流子的生成速率可以表示为： */39 * 浙大微电子 在DESSIS中描述雪崩倍增效应的模型（主要是 描述电离系数和电场以及温度的关系）有四种： vanOverstraeten-deMan模型 OkutoCrowell模型 Lackner模型 Unibo模型 */39 * 浙大微电子 下图是在常温下四种雪崩离化模型的电子和空穴电离系数 随电场的变化曲线，从图中可以看出vanOverstraeten- deMan模型、Lackner模型、Unibo模型的曲线比较吻合，而 Okuto模型显示的击穿临界电场明显比其他三种模型高。 */39 * 浙大微电子 * 浙大微电子 */39 本章内容 传输方程模型 能带模型 迁移率模型 雪崩离化模型 复合模型 DESSIS中复合模型主要包括 SRH复合 俄歇复合 SRH复合通过禁带中的深能级进行， SRH复 合率可描述为与载流子寿命相关的一个函数，如下 式所示： */39 * 浙大微电子 载流子寿命与掺杂浓度、温度、电场强度密切相关，可表示为： τdop表示考虑掺杂浓度对载流子寿命的影响 [1+gc(F)]-1表示温度的影响， f(T)因子表示电场强度的影响。 */39 * 浙大微电子 在DESSIS中，τdop 描述为： */39 * DESSIS中载流子寿命和温度的关系有两种描述方式，分别如下列两式所示： 浙大微电子 电场强度对载流子寿命的调制作用为[1+gc(F)]-1，函数gc(F)如图所示，从中可以看出，当电场强度约为3×105 V/cm时，载流子寿命减半。 */39 * 浙大微电子 俄歇复合的表达式如式所示，与SRH复合，载流子浓度对复合率的正相关性更强，当载流子浓度很高的时候，会起到举足轻重的作用。 */39 但是俄歇复合通常只有在载流子浓度很高的时候才起到重要作用，因而通常情况下该项影响可以忽略不计（除非器件中所有其他的复合类型都可以忽略，比如在高效率太阳能硅电池中）。 * 浙大微电子 * */* 浙大微电子 浙大微电子 浙大微电子 浙大微电子 第6章 器件仿真工具（DESSIS）的模型分析 器件仿真主要是通过解一系列的数学物理偏微分方程，以得到相应器件的电热特性。描述半导体器件中电荷传输的主要方程有：泊松方程、电子连续性方程、空穴连续性方程，分别如下式所示： （6.1） （6.2） （6.3） */39 * 浙大微电子 所有这些偏微分方程中所涉及的物理参量必须要有相应的物理模型来描述，从而将器件结构特性、应用偏置特性和相应的电学参数加