太阳光伏电池的原理与基本结构.ppt

第三讲太阳光伏电池的基本原理与结构 * * 1.载流子及其运动 多数载流子的扩散运动 少数载流子的漂移运动 接触电势差 载流子的扩散运动和漂移运动 (扩散电流和漂移电流） 太阳电池的基本工作原理 2. pn结的形成 P型半导体和n型半导体紧密接合在一起后，两边载流子浓度分布不同， p区多数载流子空穴会向n区扩散，同时n区多数载流子电子向p区扩散， 造成n区多余了空穴，而p区多余了电子，由此而形成初始自建电场。 （自建电场的方向） P区 N区 - - - - + + + + p区 n区 eV pn结 空穴 电子 自建电场在Pn结造成的势垒eV n区 多余 空穴 p区 多余 电子 Pn结 交界面处 的自建电场 (阻挡层) 【Pn结的阻挡层(自建电场)是由于多数载流子的扩散运动和少数载流子的 漂移运动的动态平衡的结果】 P区的少数电子和N区的少数空穴在初始自建电场作用下又有与多数载流子扩散相反的漂移运动，最终扩散和漂移达到动态平衡，结果，在Pn交界面处就形成了靠近n区一边带正电荷，靠近p区一边带负电荷的稳定空间电荷区（也称阻挡层，自建电场）,这样就形成了Pn结. 半导体表面受光照射，有些光子的能量大于（或等于） 半导体的禁带宽度，当半导体的电子获得这些光子的能量后， 就会挣脱原子核的束缚，从价带跃迁到导带，同时在价带留 下一个空穴，于是，半导体内就会出现大量电子—空穴对， 造成半导体的导电性能有了大的变化。 -------这种现象称为内光电效应。 内光电效应发生的条件 3.内光电效应 【内光电效应是半导体能够产生光伏电动势的根本原因】 （被吸收的光子能量大于禁带宽度） 简言之：内光电效应就是 光子被半导体吸收，同时在半导体内激发出大量电子—空穴对。 (自建电场) p n 4.Pn结的光生伏特效应 光生电子 （扫向方向） 光生空穴 (扫向方向) 光生空穴积累 （在P侧） 光生电子积累 （在N侧） 如果有外电路相连，则外电路中就会 出现电流(电流方向由P N ), ------这就是pn结的光生伏特效应。 【Pn结的光生伏特电势是非平衡的， 没有光照就没有光生电动势。 而Pn结的自建电场是半导体中 电子、空穴扩散、漂移动态平衡的结果, 是pn结的本性。】 光束 半导体受光照射，由于内光电效应， 半导体内就会出现大量电子—空穴对， 电子—空穴对受Pn结空间电荷区自建 电场的作用，电子被自建电场扫向N区， 空穴被自建电场扫向P区， 这样，在N 区就有了负电荷的积累， 而在P区就积累了正电荷， 光生电动势 负极 光生电动势 正极 这就表明 光照射Pn结会产生光生电动势， 且光生电动势的正极在P侧， 光生电动势的负极在N侧。 光生电动势正极在P侧 光生电动势负极在N侧 P N 太 阳 光 由于内光电效应，PN结受光照射时，就会产生大量光生电子—空穴对， 于是造成了PN结的光生电动势。 自 建 电 场 这些电子—空穴对在PN结自建电场作用下，空穴向P区运动，电子向 N区运动，于是在 P区就积累了正电荷，而在 N区就积累了负电荷。 小结：Pn结的光生伏特效应 光生电流方向 P区光生 空穴积累 N区光生 电子积累 + + + - - - 光生电动势 正极 光生电动势 负极 而且： 目前可制造LED的材料 ------称为电致发光 当正向偏压加于Pn结时，注入的载流子穿过Pn结使得载流子 浓度超过热平衡时的浓度，形成过量载流子，过量载流子复合， 以热（声子）或光（光子）的形式释放能量。 GaAs GaP GaAs(1-x)P(x) *发光二极管（LED） SiC InSb PbS GaN AlGaAs InGaP 有电致发光的材料 1.晶体硅太阳电池 太阳电池的基本结构型式 2.肖特基势垒太阳电池 3.非晶硅薄膜太阳电池 晶体硅太阳电池的基本结构示意图 p-Si n-Si 背面电极 金属栅 绒面结构 减反射层 肖特基势垒太阳电池基本结构 半透明金属膜