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AUS-TPC5000研发报告 AUS-TPC5000采用的是ME8109整机输出电压5V，整机输出电流为4A。ME8109开关电源控制IC是一款适用于中小功率便携式设备适配器/充电器的控制芯片。主要特点是静态功耗100MW以下、过五级能效、。输出电压可以通过外围电路可调，输出电流也可调整。可靠性高，安全性好。 1)低待机功耗：通过低功耗间歇工作模式设计，达到小于 100mW超低耗的性能。 2)无噪声工作：优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作，系统最小工作频 率控制在 22K左右。 3)更低启动电流：VDD启动电流低至 5uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启 动时间。 4)更低工作电流：工作电流约为 1.8mA， 可有效降低系统的损耗,提高系统的效率。 5)内置前沿消隐：内置 220nS前沿消隐（LEB），降低系统成本。 6)内置良好的 OCP 补偿：内置了 OCP 补偿功能，使系统在不需要增加成本的情况下轻易使得 全电压范围内系统的 OCP曲线趋向平坦， 提高系统的性价比。 7)完善的保护功能：集成了完善的保护功能模块。OVP，UVLO，OCP，OTP、恒定的 OPP可以使 系统设计简洁可靠，同时满足安规的要求。 8)软启动功能：内置 4mS软启动功能,可有效降低系统开机 MOS管漏源之间电压过冲。 9)较少的外围器件：外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，降低系统的成本。 10）优良的 EMI 特性： 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统的 EMI 特性，同时可以 降低系统的 EMI 成本。 各脚的功能以及调试中注意事项： 1．RT脚： RT 端内部连接了一个恒流源，该恒流源提供 100uA典型值）输出电流 。当因某种因素导致系统内部温度逐渐上升时，NTC 温度补偿电阻受温度升高的影响，其阻值逐渐降低，从而使 RT 端的电压逐渐下降，直到 RT 端的电压降到 1.0V（典型值）以下并持续 100uS后，芯片 Gate停止驱动，电源输出关闭，保护整个系统；当系统内部温度逐渐降低时，温度补偿电阻受温度下降的影响，其阻值逐渐升高，从而使 RT 端的电压逐渐上升，直到 RT 端的电压上升到 1.07V（典型值）并持续 100uS后，芯片自动恢复输出，系统恢复正常工作。 由于 NTC 电阻的精度及生产过程中 NTC 电阻检测点的不一致性 导致系统的 OTP 点误差较大， 推荐 R1使用可调电阻， 产品在生产时可通过调节该可 调电阻阻值来调整系统的 OTP的精度，满足不同的客户需求。 以系统 100度 OTP保护为例：RT选择 150K热敏电阻，R1选择 1.2-1.5K（0603）电阻即 可，其它类推。 2. 电源 VDD脚： ME8109 的启动电流低至 5uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启动时 间。 VCC脚外接限流电阻参考值在 0-51欧之间。启动电阻 RIN 的最大功率损耗： 在下图中，RIN 的最大功率损耗可以用下面的公式计算出来，公式如下： Vdc,max： 最大输入电压整流后的直流电压 V ： 芯片正常工作的电压 3.FB反馈输入脚： 了解该脚各电压门限相对应的系统工作状态对分析和优化系统设计非常有帮助的。 0.75V-1.0V为系统在轻载间歇模式下的 FB脚电压值，1.0V-3.7V为系统正常工作时 FB 脚电压值(该电压段对应的开关频率随电压增高频率增大，最大增高到 65K左右)，3.7 V-4.2V为反馈环路开路，过功率保护，短路保护时 FB脚电压值。0.75V（典型值）以下 GATE端输出被关闭，FB短路电流典型值为 0.3mA。当 FB脚电压持续 88mS大于 3.7V或 小于 0.75V时,GATE端立即关闭输出脉冲，保护整个系统的安全。 4. 电流检测 SENSE脚： 开关电流经过一检测电阻流进 SENSE脚，进行 PWM调制。另外内置一个 220nS前沿消隐 电路。该脚对地电阻的大小可以调节输出功率大小。 。 5. DRAIN脚： ME8109内部集成了一个脉宽调制控制器和一个 650V（600V） 的高压功率 MOSFET，该 脚为内部高压功率 MOSFET的漏极接变压器初级。 GND：芯片的电源接地脚，画 PCB时注意与功率地分开布线。 动态响应(DNY)的调整 从动态响应的原理来看，系统要具有较快的环路响应特性才能使系统的动态响应特性较好。通过分析右图中的电路，对调整系统的动态响应特性是很有帮助的。对芯片而言，整个系统的环路响应是芯片的 FB端通过检测 U3光耦反馈传输过来的信号强度及信号变化来进行控制的，系统的响应特性不仅与 ME431的增益有关，而且与光耦的传输特性有关。为了使系统具有较