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* 电 路 与 电 子 技 术 主要内容： 半导体基础知识 半导体二极管 晶体三极管 第3章 半导体器件基础 第二篇 模拟电子技术 电 路 与 电 子 技 术 第3章 半导体器件基础 电子信息系统的组成 模拟电子电路 数字电子电路 传感器接收器 隔离、滤波、放大 运算、转换、比较 功放 模拟-数字混合电子电路 模拟电子系统 执行机构 电 路 与 电 子 技 术 第3章 半导体器件基础 第一节 半导体基础知识 一、 基本概念 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的具有晶体结构的半导体。如硅、锗等。 3.1.1 杂质半导体 一、N 型半导体 在本征半导体硅或锗中掺入微量五价元素，如磷(称为杂质)等，可使自由电子的浓度大大增加，自由电子成为多数载流子，空穴成为少数载流子，这种以电子导电为主的半导体称为N型半导体。 +5 +4 +4 +4 +4 +4 磷原子 自由电子 电 路 与 电 子 技 术 第3章 半导体器件基础 二、P型半导体 +3 +4 +4 +4 +4 +4 硼原子 空穴 在本征半导体硅或锗中掺入微量三价元素(如:硼)，则空穴的浓度大大增加，空穴成为多数载流子，自由电子成为少数载流子，这种以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。 空穴数 电子数 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 ? 空穴数 3.1.2 PN结的形成及单向导电性 PN结：P型半导体和N型交界处所形成的结。 内电场 P区 N区 电 路 与 电 子 技 术 第3章 半导体器件基础 3.1.2 PN结的单向导电性 1. 外加正向电压(正向偏置) — forward bias P区 N区 内电场 + ? U R 外电场 外电场与内电场方向相反，削弱内电场使空间电荷区变窄 IF IF ? I多子 限流电阻 2. 外加反向电压（反向偏置) — reverse bias ? + U R 内电场 外电场 外电场与内电场方向相同使内电场增强， 空间电荷区变宽 IR IR = I少子 ? 0 PN结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 扩散运动加强形成正向电流IF 漂移运动加强形成反向电流IR P区 N区 电 路 与 电 子 技 术 第3章 半导体器件基础 第二节 半导体二极管（Semiconductor Diode) 3.2.1 二极管的结构和符号 构成： PN结 + 引线 + 管壳 = 二极管 (Diode) 符号： A (阳极) K (阴极)　文字符号：Ｄ 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 平面型 电 路 与 电 子 技 术 第3章 半导体器件基础 3.2.2 二极管的伏安特性 一、PN结的伏安特性方程 即常温下: UT = 26 mV 反向饱和 电流 ? IR 温度的 电压当量 玻尔兹曼常数 电子电量 当T = 300（27?C） 分析： i = 0 当正偏（u ＞ 0）时 i ≈ ISeu/UT i 随u 按指数规律变化 当反偏（u＜ 0）时 i ≈ -IS i 与u 无关 当 u = 0时 电 路 与 电 子 技 术 第3章 半导体器件基础 二、二极管的伏安特性曲线 O uD /V iD /mA 正向特性 Uon 开启 电压 iD = 0 Uon = 0.5 V 0.2 V (硅管) (锗管) uD? Uon时D导通 iD 急剧上升 1. 正向特性 0? uD? Uon时 UF = 0.6 ? 0.8 V 硅管0.7 V 0.1 ? 0.3 V 锗管0.2 V 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 2. 反向特性 uD? U（BR） iD = -IS (反向饱和电流) 0.1 ?A(硅) 几十?A (锗) 3.反向击穿特性 uD ? U（BR） 反向电流急剧增大 (反向击穿) 导通 电压 电 路 与 电 子 技 术 第3章 半导体器件基础 三、 温度对二极管特性的影响 T 升高时，UF减小，IR增大 UF 以 ?2 ? 2.5 mV/ ?C减小 IR 以2 IR / 10?C 增大 60 40 20 – 0.02 O 0.4 –25 –50 iD / mA uD / V 20?C 90?C