非线性系统的分析相平面.ppt

线性部件在原点具有一个极点的情况 前面提出的Popov定理的应用范围可以扩展， G (s)只在原点有一个极点，而其余均在左半平面。对于这种情况，只要 0，仍可以应用 Popov定理。只是对非线性N[x(t)]有一个附加的要求，即除了N[0]=0外，不存在N[x(t)]=0的点。 例子： 求得使系统渐进稳定的非线性限制条件为 ● 设 系统微分方程为 特征根为两个具有负实部的共轭复根，系统 稳定，过渡过程呈衰减震荡形式。 其等倾线方程为 ● 特征根为两个不相等的负实根， 系统的零输入响应为非震荡衰减形式，存在两条 特殊的等倾线，其斜率为 相平面图如下图所示。当相轨迹初始点落在两条特 殊等倾线上时，相轨迹沿该直线趋于原点；除此之 外，相轨迹最终将沿着 的方向趋于原 点。 ● 系统特征根为两个相等的负实根。取 其相平面图如下。与 相比，相轨迹的特殊 等倾线蜕化为一条。 ● 系统微分方程为 特征根为两个共轭虚根 ，系统临界稳定， 过渡过程为等幅震荡。改写系统方程为 积分后得到相轨迹方程为 ● 设 系统微分方程为 特征根为两个具有正实部的共轭复根，系统 不稳定，过渡过程震荡发散。等倾线为 ● 设 系统微分方程为 特征根为两个不相等的正实根，系统不稳定， 过渡过程为非周期发散。等倾线方程为 ● 系统特征根为两个相同的正实根，存在一条特殊的 等倾线，系统相轨迹发散，相平面图如下图所示。 1）分段列写非线性系统微分方程 2）在相平面上确定每一个微分方程所在区域及开关线。 3）按照线性系统相轨迹的作法，分段求解相轨迹方程。 4）在开关线上做好两条相轨迹的链接。注意，下一条相轨迹的初始条件是上一条相轨迹的终止条件。 四．非线性系统的相平面分析 一般非线性系统利用分段线性微分方程来描述。 (1) 具有死区特性的非线性控制系统 取 作为状态变量， 因为 ， 给定参数T=1, K k =1，根据二阶线性系统相 轨迹分析结果，可得奇点类型 区域 I：奇点(-△，0)为稳定焦点，相轨迹为向心 螺旋线( ); 区域 II：奇点(x，0)，x∈(-△, △)为稳定焦点， 相轨迹沿直线收敛； 区域 I：奇点(△，0)为稳定焦点，相轨迹为向心 螺旋线( ); 由零初始条件 和 得到e(0)=R, 。相轨迹如下图所示： 若用比例环节 k =1 代替 死区特性，即无死区影 响时，线性二阶系统相 轨迹如图中虚线所示。 可以比较出死区特性对 系统运动的影响。 (2) 具有饱和特性的非线性控制系统 图中系统初始状态为零，且 下面分别研究系统在 r (t)=R·1(t) 和 r (t)=V0 t 作用下的相轨迹。 1） r (t)=R·1(t) 。 A 为常数 相轨迹方程为 等倾线方程为 为一簇平行于横轴的直线，其斜率 k 为零。当a=0 得 ，即为特殊的等倾线(k=a=0)。 对于线性区域的奇点，求得为原点，且其特征根 为负实部共轭复根，所以奇点是稳定焦点。由初始条件可知，e(0)=R， 。取R=2，绘制相轨迹如图所示。 2） r (t)=V0(t) 。 在线性区间，奇点 为稳定能够的焦点。 负饱和区和正饱和区内渐近线分别为 当V0=1.2 KM0 时，线性区内相轨迹奇点(0.3,0) 为稳定焦点，且为虚奇点；饱和区内渐近线都位于相平面的上半平面，相轨迹如下图所示 。 当V0=0.4 KM0 时，线性区内相轨迹奇点(0.1,0) 为稳定焦点，且为实奇点；渐近线分别位于相平面的上下半平面，相轨迹收敛于(0.1,0)，系统地稳态误差为0.1，相轨迹如下图所示 。 当V0=0.8= KM0 时，线性区内相轨迹奇点(0.2,0) 为稳定焦点，为实奇点，位于开关线 e=e0 上；正饱和区的线性微分方程为 该区域内相轨迹是斜率为 -1/T 的直线，横轴上大于 e0 的各个点都是奇点，所以系统存在问题误差。 小结 本章介绍了非线性系统的两种设计方法：描述函数法、相平面法。它