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后烘 光线照射到光刻胶与晶圆的界面上会产生部分反射。反射光与入射光会叠加形成驻波，后烘会部分消除这种效应。 AZ1500标准后烘条件：115℃， 50s 显影 用化学显影液将曝光造成的光刻胶的可溶解区域溶解就是光刻胶的显影，其主要目的就是把掩膜版的图形准确复制到光刻胶中。 自动显影—4英寸衬底 手动显影 AZ1500标准显影时间：8 s 标准显影溶液：ZX-238 注意：完全垂直的光刻胶侧壁非常难制作。正胶通常会有一些轻微的正向倾斜，大约85°-89°，复交有相似的倒的外形轮廓。这是光强通过掩模板后产生的结果。 显影液： 1. 正性光刻胶的显影液：正胶的显影液位碱性水溶液。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵（TMAH）（标准当量浓度为0.26，温度15～250C）。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH 显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液而未曝光的光刻胶没有影响； 2. 负性光刻胶的显影液：二甲苯。 显影中的常见问题： 1. 显影不完全（Incomplete Development）：表面还残留有光刻胶，可能是显影液不足造成； 2. 显影不够（Under Development）：显影的侧壁不垂直，由显影时间不足造成； 3. 过度显影（Over Development）。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解，形成台阶。显影时间太长。 坚膜 坚膜就是通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面，并可以增加胶层的抗刻蚀能力。 ? 能够改善光刻胶的抗刻蚀、注入能力。 ? 改善光刻胶与晶圆表面的黏附性，有利于后续湿法腐蚀工艺。 ? 改善光刻胶中存在的针孔。进一步减少驻波效应。 坚膜常见问题： 1. 烘烤不足（Underbake）：减弱光刻胶的强度（抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力）； 2. 降低针孔填充能力（Gapfill Capability for the needle hole）：降低与基底的黏附能力。 3. 烘烤过度（Overbake）：引起光刻胶的流动，使图形精度降低，分辨率变差。 4. 通常会增加将来去胶的难度。 去胶 图形转移加工后，光刻胶已完成它的使命，需要清除掉。 去胶有湿法与干法两种。 湿法： 是用各种酸碱类溶液或有机溶剂将胶层去除掉，最普通的去胶液是丙酮，它可以溶解绝大多数光刻胶。 干法： 用氧气等离子体刻蚀去胶（强氧化去胶）注意：不能用于带有Ag、Cu、ZrO、parylene和聚酰亚胺的基片。 AZ 1500 前烘 100 ? C，50 s 曝光 6 s 后烘 115℃， 50s 显影 8 s 注意事项 （1）百级超净—提前开启FFU系统 （2）洗衣间内备有乙醇，用过匀胶机、热板后要清洁，自觉带走垃圾和废液 （3）穿连体无尘服—保证环境洁净，带活性炭口罩—做好个人防护 500 rpm 1000 rpm/s 6 s 3000 rpm 1000 rpm/s 40 s 0 rpm 1500 rpm/s 4 s QA Q 光刻前都要做哪些准备？ A 1 边长5寸方形模板（有效曝光面积是直径4寸圆形） 2 直径4寸以下的衬底 3 镊子、秒表（手动显影）…… Q 旋涂机标配的是4寸的衬底托盘，要旋涂小样品怎么办？ A 旋涂机下面摆有配件，把配件插在托盘上，就可以适应小样品。 Q 光刻机标配的4英寸的衬底托架，如果要曝光小样品，那要注意什么？ A 为了获得最佳曝光效果，要尽量让模板和样品之间保持平行，为此，MJB4光刻机设置了WEC setting功能，就是为了调节二者的平行度。但如果样品太小，会达不到最好的找平效果。这时，为尽量达到最佳效果，尽量选择较大的衬底，而且尽量放在托架中心位置。 PS：涂胶时衬底边缘的胶通常会较厚，衬底较小的时候，这部分厚胶会对曝光的影响较大。 模板 衬底 托架 模板 衬底 托架 QA Q MJB4光刻机的分辨率是800 nm，可是为什么我们加工不出这个分辨率的样品？ A 光刻胶微结构的分辨率不仅取决于仪器本身，还取决于使用的光刻胶的分辨率，旋涂、曝光、显影条件的控制，环境因素，个人差异等。为了得到较好的加工效果，建议用这台光刻机加工2微米以上的图案。 光刻工艺技术培训 微结构国家实验室微加工中心 二〇一二年三月 光刻培训流程 理论培训 上机培训 上机实习 光刻基本知识 基本工艺流程及常见问题 目 录 光刻基本知识 光刻是什么？ 光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以后要进行刻蚀和离子注入的衬底上。其原理与照相相似，不同的是基片或