合金设计4 再结晶退火.ppt

b 亚晶长大的形核机制亚晶长大方式： 亚晶的成组合并——亚晶合并形核 个别亚晶选择性增长——亚晶界移动形核 影响再结晶形核因素：温度、回复 温度 (温度↑——形核率↑） ——形核率； ——常数； QN——形核激活能。 晶核长大速度与温度的关系 温度↑——长大速度↑ ——长大速度 ——常数； QG——长大激活能。 3) 再结晶动力学(再结晶速率---体积分数 ) 约翰逊—迈尔(Johnson—Mehl)方程 (再结晶体积分数) (3-6) 再结晶速率(再结晶体积) (3-7) 阿弗瑞米(Avrami) 公式 (3-8) “S”形的动力学曲线 5.5 再结晶晶粒长大 概念：晶界迁移致使晶粒长大 驱动力 ：界面能（比再结晶驱动小两个数量级） 特征：不均匀性（形核不均匀、晶界迁移率不均匀、晶粒大小不均匀） 两维模型分析晶界上表面张力的平衡关系 （3-9） 晶界迁移方向 影响晶粒长大的因素 表面张力——界面愈弯曲，曲率半径（直径 ）愈小，则界面迁移速率愈大 (小的越小) 杂质及合金元素 ——阻碍 固溶体中溶质原子 ——阻碍 第二相质点 ——阻碍 晶粒尺寸的厚度（厚度效应 ） 厚度效应原因 二次再结晶的应用 Fe-Si合金：二次再结晶得到高斯织构，产生磁各向异性，降低矫顽力 有利于提高冷变形储能及原子的自扩散迁移能力的因素，均有利于提高再结晶速率；反之，则降低再结晶速率。 回复与再结晶退火 MSE@CSU 4)再结晶晶粒大小及其影响因素 （1）起始晶粒度与实际晶粒度 初始再结晶、晶粒长大（称聚集再结晶） 、二次再结晶。 理想情况：刚刚再结晶终了时的尺寸，均匀等轴状晶粒。 实际情况 ： 无法准确掌握再结晶刚好完成的时刻； 再结晶开始的时间不尽相同，再结晶晶粒相互接触也不同步，再结晶与晶粒长大是有交叉的，有时二次再结晶会同时发生。 起始晶粒度难以把握，难以控制。通常指的再结晶粒度实际上为退火后已经一定长大的实际晶粒度。 晶粒度以及其均匀性直接影响材料的工艺性能、使用性能以及制品表面质量。再结晶退火时，需控制再结晶晶粒（实际晶粒大小）。 回复与再结晶退火 MSE@CSU （2）影响再结晶晶粒大小的因素 总的来讲，晶粒尺寸与N/Gn （形核率/晶核生长速率）、 Gg（晶粒长大速率）有关。因此,凡影响N/Gn及Gg的因素均影响晶粒大小。然而， N/Gn只决定了起始晶粒度，起始晶粒度=K(N/Gn)1/4 ，若N大而Gn小，则起始晶粒小。实际上，更多场合起决定作用的还是晶粒长大（Gg） 。 ①预变形量（变形程度） ——呈如图所示规律 ，存在临界变形程度（εc~1-15%，与退火温度、变形温度、纯度或合金成分等有关） 回复与再结晶退火 MSE@CSU 仅多边化 变形不均匀，局部驱动再结晶 a b c d e f εc ab——变形小，储能低，不足以驱动再结晶，仅回复（多边化）；bc——变形不均匀，仅局部区域（个别晶粒变形较大）驱动再结晶， N小， N/Gn小，故晶粒极粗大； cd——N增大， N/Gn增大，故晶粒细化； de——晶粒稳定 ef——变形强烈不均匀，再结晶开始时间各异，晶粒大小不均。 T1T2 T1 T2 εc 回复与再结晶退火 MSE@CSU 回复与再结晶退火 MSE@CSU ③退火温度与退火时间 在给定时间t退火后，T退升，τ孕变短， 即晶粒长大时间（t－τ孕）增长，故实际晶粒度增大；大多数情况，T退上升，粗化（虽N上升，但Gn上升，尤其是Gg上升） ； 退火时间t延长，再结晶晶粒粗化，达