固体物理(第10课)晶体缺陷.ppt

滑 移 示 意 图 返回 滑移面：密勒指数比较低的晶面 滑移方向：原子的最密排方向 刃 型 位 错 示 意 图 返回 滑移面：ABCD晶面 滑移方向：AD方向 刃型位错 “?” 位错线 刃 型 位 错 的 运 动 返回 滑移运动：位错线移动方向、外界切应力方向和滑移矢量方向一致 螺 型 位 错 示 意 图 返回 滑移运动： 滑移方向//外界切应力方向 滑移方向?位错线移动方向 位错线 滑移方向 滑移矢量 位错线移动方向 位错线可以在以b为轴的任意圆柱面内移动 4.6 晶体中的其它缺陷 1. 堆垛层错 （示意图） (1) 抽出型层错　　（演示） (2) 插入型层错范　 （演示） 2. 小角晶界 （示意图） （演示） 3. 体缺陷：包裹体 4. 微缺陷：漩涡缺陷（硅、GaAs） 硅表面微缺陷 GaAs表面微缺陷 堆 垛 层 错 示 意 图 返回 抽出型层错 插入型层错 原子铺排方式：密排面，ABCABC…… 小 角 晶 界 示 意 图 返回 小角晶界可看成是一系列刃型位错的排列。且有： 作业2： P101 4.4题 4.6题 4.10题 4.4 某间隙原子在晶格的间隙间跳跃，该间隙原子在晶格中振动的频率为2×1015/s，如果该间隙原子在跳跃过程中需要克服的势垒高度为0.1eV，求该原子在1s内跳跃的次数。 4.6 已知扩散系数与温度之间的关系为： 下列数据是锌在铜晶体中扩散的实验结果： 试确定常数D0和扩散激活能EA。 4.10 求体心立方、面心立方、六方密堆积结构的最小滑移矢量的长度。 T/K 878 1007 1176 1253 1322 D/m2·s-1 1.6×10-20 4.0×10-19 1.6×10-18 4.0×10-17 1.0×10-16 第4章 晶体缺陷 晶体缺陷：对晶体理想完整结构的偏离。 半导体科学技术的发展与杂质/缺陷态的研究紧密相联。 利用缺陷/杂质理论制备多种半导体。 4.1 晶体缺陷的分类 4.2 点缺陷 对晶体结构的干扰只在几个原子间距范围内。 对物理性质有重要影响，特别是那些与晶体中物质输运过程有关的性质受缺陷的影响最大。 点缺陷对导电电子的散射影响了金属的电导率 对声子散射影响了晶体的导热性。 半导体晶体中杂质原子影响半导体的电学性质 离子晶体中在带隙能级中造成缺陷能级而影响光学性质。 离子晶体的导电性直接来源于点缺陷的运动。 1. 热缺陷：由于热振动的能量起伏离开晶格位置 (1)夫伦克耳缺陷：因为热涨落由格点跳进间隙位 置，晶体中空位和间隙原子成对出现。 (2)肖特基缺陷：邻近表面的原子由于热涨落跳进晶体 表面，晶体内部留有空位（容易产生）。 (3)反向过程：上述过程反向。 (4)间隙原子：夫伦 克尔缺陷和反向肖 特基缺陷的组合。 由于形成间隙原子 要做功,因此一般形 成肖特基缺陷的可能性大。 缺陷演示 缺陷演示 热缺陷的统计理论 达到热力学平衡状态时，晶体的自由能最小。 自由能：热力学中描述物态的函数 上式表明，在绝对零度以上，晶体中必存在一定程度的无序性，也就是总有一定程度的缺陷产生。 热缺陷是由于晶体中的热涨落现象产生的，热缺陷的平衡浓度可由热力学平衡条件计算得到。 热缺陷不断产生和复合，空位和间隙原子相遇，间隙原子跳进空位，结果一同消失，在热平衡条件下，热缺陷的数目趋于一定值。 以肖特基缺陷为例： 设晶体中有N+n个格点，n个空位，每个空位的形成能为u1。则： B 2. 杂质原子 (1) 替代式杂质 ←容易产生（ΔE增加小，组态 熵S的变化ΔS相当大，引起自由能降低。） (2) 间隙式杂质（ ΔE和ΔS变化相当大） 溶剂原子 溶质原子 弹性畸变中心 间隙原子很小 杂质原子的作用 微量杂质缺陷就可改变晶体的物理性质 Ge中掺入三价或五价原子，形成P型或N型半导体 每105个硅原子中掺入1个硼原子，可使硅电导增加103倍 施主杂质：五价原子磷、砷、锑 受主杂质：三价原子硼、铝、镓、铟 刚玉晶体：白宝石，三氧化二铝，在烧结过程中加入三氧化二铬，形成红宝石。 浓度/cm3 1014 1014~1016 1016~1019 1019 N型 ν 轻掺杂N- N 重掺杂N+ P型 π 轻掺杂P- P 重掺杂P+ Saphire(蓝宝石,Al2O3) 3. 辐照缺陷 1.5 Mev中子 撞击晶格中的原子，形成初级原子，能量为105 eV（铜），假设初级原子在进一步撞击其它原子时，每个原子的位移能为25eV，则能够撞出4000个铜原子。 快中子累积强度～1023/m2 撞出的铜原子数约为 4×1028/m3，约是固体中铜原子的 1% 严重?空洞，大小约为100? 4. 色心：能吸收可见光的点缺陷