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材料化学重点 1.1 化学键的本质及分类 材料：可为社会接受而又能经济的制造有用器件的物质叫材料。离子键是一种静电型键，是由电荷相反的离子通过其过剩电荷的库仑引力所形成的。 离子极化在外电场作用下，离子中电子分布的重心会偏离原子核而导致离子的变形，产生诱导偶极矩离子极化率的大小就是表示在外电场的作用下电子云变形的能力，它主要取决于核电荷对外层电子吸引的强弱程度和外层电子的数目 1.离子半径：离子半径大，极化率大 离子价数：离子价数越高，极化力越大 离子的电子云构型：含共价键晶体结构稳定没有可移动的电子，所以不导电，熔点从低到高范围较宽，但纯共价晶体的熔点一般都是很高的，硬度很大。 金属键的特征是没有方向性和饱和性，结构上为密堆积，具有高的配为数和大的密度能带理论就是认为晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，并且共有化电子是在晶体周期性的势场中运动；结果得到：共有化电子的本征态波函数是Bloch函数形式，能量是由准连续能级构成的许多能带最高占有带（即价带）仅仅部分充满，或者能带发生重叠。 绝缘体的能带结构价带全满，且与下一个能带被一个大的禁带隔开。 半导体的能带结构价带全满，且与下一个能带被一个相对于绝缘体禁带隙要小的禁带隔开。（半导体性质是由于电子从满带被激发到导带而产生的。 杂质半导体：其电性能受外加掺杂剂控制的一类半导体。 载流子：对电导有贡献的粒子。包括满带中的空穴和导带中的电子。 本征半导体是高纯材料，它的载流子为激发到导带的电子和留在满带的空穴，且两者的浓度相等，其值完全受能带间隙的大小和温度的支配。 本征半导体一般都要求是高纯物质，制备上往往是极其困难的。点缺陷晶格周期性的破坏发生在一个或几个晶格常数的限度范围内，这类缺陷统称为点缺陷。 肖脱基缺陷正负离子由正常的格点位置跑出到表面，晶体内部生成相应的空位，其化学组成比是不变的。（正负离子空位成对出现） 弗伦克耳缺陷杂质点缺陷a．替代式杂质点缺陷 b．填隙式杂质点缺陷 电子缺陷：在固体晶格中，由于本征点缺陷或杂质点缺陷的存在，晶格的周期性势场局部地受到破坏，在这些局部地区，电子的能态同晶体中其它部分的能态有所不同半导体中的电子缺陷能提供给导带以电子，我们们称这种杂质为施主杂质，形成的是点缺陷名称点缺陷所带有效电荷（×中性，’负电荷）缺陷在晶体中所占的格位一般空位缺陷用V表示（空位Vacancy的字首）；杂质缺陷则用该杂质的元素符号表示，电子缺陷用e表示，空穴缺陷用h表示。 1．空位缺陷：如NaCl晶体中，VNa’，VCl·。 2.间隙原子缺陷：’。 3．错位原子缺陷：AB×，BA×。 4．杂质原子缺陷：AB中掺有少量的外来杂质L时，假设AB为一价化合物，L为二价，则有：LA·，LB’，Li··。假设AB为二价化合物，L为一价，则有：LA’，LB·，Li·。 载流子浓度对温度的依耐关系： 耗尽区域B：杂质已全部电离，载流子浓度与温度无关，而电导率由于迁移效应显示随温度进一步上升而缓慢下降的趋势。 ∵，n一定，μ随T升高而降低，∴σ随T升高而降低（升温挠动使迁移受阻）本征区域C：由于相当数量的本征载流子被激发导致电导率随温度升高而急剧增大。 对于半导体器件较为方便的使用区域是耗尽区域，正因为它们对温度变化相对地不敏感，才能达到稳定使用的目的。 1.4非晶态的结构特征 晶子学说： ①玻璃是由“晶子?和无定形物质组成； ②晶子是带有晶格变形的有序区而非微晶；? ③晶子分散在无定型介质中，二者之间是逐渐过渡的。 无规网络学说： 1)形成玻璃的物质与相应的晶体类似，形成相似的三维空间网络。?? 2)三维空间网络是由离子多面体通过桥氧相连，向三维空间无规律的发展而构筑起来的。? 3)电荷高的网络形成离子位于多面体中心，半径大的变性离子，在网络空隙中统计分布，对于每一个变价离子则有一定的配位数。 两种学说统一的看法是 玻璃是具有近程有序（1.5-2.0nm）、远程无序这样一个结构特点的无定形物质。 无规网络学说着重于玻璃结构的无序、连续、均匀和统计性。晶子假说着重于玻璃结构的微不均匀和有序性。? 双体概率分布函数g（r）的强度给出了材料的有序程度 1.5高分子材料 基本定义： 高分子：分子量高于约1万的称为高分子 单体：通常将生成高分子的那些低分子原料称为单体。 单体单元：组成高分子链的基本结构单元，通常与形成高分子的原料相联系，所以称单体单元。 结构重复单元：又叫链节，是高分子中重复出现的那部分，高分子的结构式常表示【链节】，n为链节的数目。 聚合度：聚合物分子中，单体单元的数目叫聚合度。 一级结构：单个大分子内与基本结构单元有关的结构。包括结构单元的化学组成、键接方式（头头和头尾）、构型（旋光异构和几何异构）、支化和交联以及共聚物的序列结构。 二级结构指的是若干