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立方氮化硼CBN(Cubic Boron Nitride) 主要内容 氮化硼和立方氮化硼 立方氮化硼介绍 立方氮化硼制备 立方氮化硼(cBN)主要性能 氮化硼材料的应用 氮化硼材料的发展方向 立方氮化硼(cBN)薄膜制备方法 立方氮化硼(cBN)薄膜制备问题分析 1.2 溅射镀膜 (1) 直流二极、三极和四极溅射 此种溅射方法的优点是装置简单，工艺控制较容易。缺点是沉膜效率低，基体温度易升高，气体分子进入薄膜中量大。M.Ben el Mekki 等[3]曾对用离子束辅助沉积法和三极溅射法所制的膜进行性能比较，发现三极溅射制得的膜与基体结合力低且表面较粗糙。 (2) 射频溅射(RFS) RFS 是将一部分射频功率加在靶上，从中溅射出B 原子和N+离子。另一部分功率加在基体上，产生射频自直流负偏压，改变射频功率的分配系数，负偏压可从0～－100 V 变化。调节离子能量，可制备SP3 含量高的cBN 膜，沉积温度一般为300 ℃，沉积速率为4.0 nm/min。S.Logothetidis 等[4]在硅上分别用射频溅射和离子束溅射法制备cBN 膜，其中用射频溅射法制得的薄膜厚度为600 nm，具有更高的立方相含量和硬度。 (3) 磁控溅射(MS) 磁控溅射的原理如图 (pvd) (4) 离子束溅射(IBS) 1.3 离子镀 (IP) 离子镀在原理上是蒸发工艺与溅射技术的结 合，