第七章 化学气相淀积.pptVIP

第七章 化学气相淀积 CVD 化学过程 高温分解： 通常在无氧的条件下，通过加热化 合物分解（化学键断裂）； 2. 光分解： 利用辐射使化合物的化学键断裂分解； 3. 还原反应： 反应物分子和氢发生的反应； 4. 氧化反应： 反应物原子或分子和氧发生的反应； 氧化还原反应： 反应3与4地组合，反应后形成两 种新的化合物。 ???? 经过数十年的发展，CVD已经成为半导体生产过程中最重要的薄膜沉积方法。PVD的应用大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几乎所有的半导体元件所需要的薄膜，不论是导体，半导体，或者绝缘介电材料，都可以沉积。 ??????? 在目前的VLSI生产过程中，除了某些材料因特殊原因还在用溅镀法之外，如铝硅铜合金及钛等，所有其他的薄膜均用CVD法来沉积。 CVD工艺优点 （1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点。因此减轻了衬底片的热形变，抑制了缺陷生成; 设备简单，重复性好； （2）薄膜的成分精确可控、配比范围大； （3）淀积速率一般高于PVD（物理气相淀积，如蒸发、溅射等），效率高；厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜淀积，且能大量生产； （4）淀积膜结构完整、致密，良好的台阶覆盖能力，且与衬底粘附性好。 （5）CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等 CVD工艺用途 形成钝化保护层， 介质层， 导电层， 和掩蔽层 §7.1化学气相淀积原理 用CVD方法淀积薄膜，实际上是从气相中生长晶体的复相物理－化学过程 影响薄膜质量和沉积速率的参数：反应气体流量，反应压力，腔室温度，是否掺杂及掺杂数量等 CVD 反应步骤 参加反应的气体混合物被输送到衬底表面 反应物分子由主气流扩散到衬底表面 反应物分子吸附在衬底表面 吸附分子与气体分子之间发生化学反应 反应副产物分子从衬底表面解析 副产物分子由衬底表面外扩散到主气体流中，然后被排出淀积区 在化学气相淀积中，气体先驱物传输到硅片表面进行吸附作用和反应。例如，下面的三个反应。反应1）显示硅烷首先分解成SiH2 (硅乙烯 )先驱物。 SiH2先驱物再和硅烷反应形成Si2H6 (乙硅烷 ) 。在中间CVD反应中， SiH2随着Si2H6被吸附在硅片表面。然后Si2H6分解形成最终需要的固态硅膜。 SiH4(气态) SiH2(气态) + H2(气态) （高温分解） SiH4(气态) + SiH2(气态) Si2H6(气态) （反应半成品形成） Si2H6(气态) 2Si (固态) + 3H2(气态) （最终产品形成） 以上实例是硅气相外延的一个反应过程 CVD过程 速度限制阶段 在实际大批量生产中，CVD反应的时间长短很重要。但是每一部的生长速率是不同的，基于CVD反应的有序性，最慢的反应阶段会成为整个工艺的瓶颈。换言之，反应速度最慢的阶段将决定整个淀积过程的速度。 CVD的反应速度取决于质量传输和表面反应两个因素。温度升高会促使表面反应速度增加。在质量传输阶段淀积工艺对温度不敏感，这意味着无论温度如何，传输到硅片表面加速反应的反应气体的量都不足。在此情况下，CVD工艺反应速度通常是受质量传输所限制的。 在更低的反应温度下，由于只有更少的能量来驱动表面反应，表面反应速度会降低。最终反应物达到硅片表面的速度将超过表面化学反应的速度。在这种情况下，淀积速度是受化学反应速度限制的，此时称表面反应控制限制。 CVD 反应中的压力 如果CVD发生在低压下，反应气体通过边界层达到表面的扩散作用会显著增加。这会增加反应物到衬底的输运。在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。在这种情况下，速度限制将受约于表面反应，即在较低压下CVD工艺速度是受反应速度限制的。 CVD 过程中的掺杂 CVD淀积过程中，在SiO2中掺入杂质对硅片加工来说也是很重要。例如，在淀积SiO2的过程中，反应气体中加入PH3后，会形成磷硅玻璃。 按淀积温度分： A 低温CVD（LT~）：200----500℃ B 中温CVD（MT~）：500----1000℃ C 高温CVD（HT~）：1000----1300℃ 按反应压力分（常采用此分法）： 常压CVD（APCVD/NPCVD）： 一个大气压，101Kpa. 低压CVD （LPCVD）：100Pa左右 PECVD，称等离子体增强CVD，既是