TiB_2-BN复相陶瓷的制备及其性能的分析.pdfVIP

摘 要 TiB2．BN复相导电陶瓷具有优良的机加工性和方便的电性能可设计性 等，其应用前景十分广阔。但还存在许多有待解决的问题：烧结比较困难、 烧结体性能不稳定、不均匀等等。本文采用通电热压快速烧结技术进行了制 备riB2．BN复相陶瓷的研究，从烧结过程的传热问题入手，运用计算、数值 及实验相结合的方法，研究烧结过程中温度分布的均匀性问题；采用渗流理 论及正交试验方法，优化烧结过程中的主要影响因素；分析并揭示TiB2．BN 复相导电陶瓷发生潮解的原因：在模拟工况条件下考察试样的热疲劳问题。 根据烧结初期升温速率突变的现象，从实验上确认烧结过程中电——热 转换存在二种不同的机制，从而证实了烧结初期样品中产生了放电现象。烧 结初期，满足一定的烧结条件下，温度场测量结果揭示：烧结初期的升温速 率发生了突变，高效的能量转换证实了放电现象的存在，烧结初期的真空度、 样品收缩测量结果也提供了佐证。烧结绝缘样品时，升温速率无突变，故样 品烧结过程中不发生放电现象。 烧结中期．样品中的热能主要来自压头。数值计算结果表明，不论样品 是导电的还是绝缘的，烧结过程中的热流方向与压力方向一致，热量由压头 流向样品。不同样品烧结过程中温度分布不同，绝缘样品中形成封闭的环状 等温线，导电样品中形成梯度等温线。径向的温度分布为：导电样品中呈单 调分布，绝缘样品中呈波浪分布。 揭示了TiB2．BN复相导电陶瓷的通电热压快速烧结末期存在大的温度梯 度，并且温度梯度的大小与材料的电导率、热导率直接相关。烧结末期．本 文推导了通电热压快速烧结中样品及模具内二维稳态温度分布，计算结果是： 在样品的径向和轴向，温度都呈抛物线分布。重点分析了径向温度分布问题， 样品内对称面上任一点与样品中心的温差为：△T=-q．r2／4k．。只要烧结样品 为导电材料，样品和模具内温差的存在是不可避免的，且中心温度最高。不 同的导电样品，由于导热系数差异及样品发热率不同，样品中存在的温差各 异。但均不为零。只有当烧结样品为绝缘材料，样品发热率为零时，样品中 才可能实现无温差。 烧结末期温度场的测量结果是：样品为瓢B2．BN复相导电陶瓷时，由于 所需烧结温度较高，导热能力较低，导致样品中存在大的温度梯度，样品中 心与样品边界的温差最高可达450℃(烧结温度1700℃，无保温措施)：当样 品为金属Cu时，样品中温差较小，小于50℃(烧结温度900℃)；当样品为 绝缘相BN时，样品中的温差随升温速率高低变化而变化，升温速率高(8 ℃／s)时，样品中温差大，可达220℃(烧结温度1300℃)，升温速率较低(1．8 ℃／s)时，样品中温差小，小于50℃(烧结温度1100℃)，样品中的温度分 布完全取决于模具及压头的传热。实验结果与计算结果相吻合。 采用渗流理论解释了TiB2．BN复相陶瓷的导电性能，确定了通电热压快 速烧结型TiB2-BN复相陶瓷符合渗流模型。采用通电热压快速烧结方法制备 TiB2一BN复相导电陶瓷，其电阻率与导电相豇B2百分含量的关系符合渗流理 与BN复相陶瓷，TiB2颗粒无规则地分布在BN绝缘相中，且在Tf132颗粒边 界上不存在BN相的绝缘包裹层。 运用正交试验方法确定了影响烧结材料电性能的几个主要影响因素．其 优化结果为：TiB2配比大于29．2％(体积百分比)，烧结助剂的添加量为0．5％ (重量百分比)，烧结温度约为1650℃。添加烧结助荆，既有效地促进了样 品中导电网络的构成，又对1m2，BN复相导电陶瓷的电阻率产生很大影响， 而且TiB2配比越接近渗流阀值，烧结助荆的影响越大。 通过分析TiB2．BN复相导电陶瓷表面析出物及TiB2粉和BN粉的氧化产 物，揭示nB2．BN复相导电陶瓷中残留的氧化产物——氧化硼是Td32-BN复 相导电陶瓷引起潮解的主要原因。复相陶瓷表面析出物是硼酸，作者认为 TiB2．BN复相导电陶瓷在烧结过程中发生了氧化反应，并且在烧结体内残留 了部分氧化硼，这是潮解的主要原因。TiB2．BN复相导电陶瓷中存在开口气 孔，是TiB2-BN复相导电陶瓷潮解的诱因。样品放置于空气中，开口气孔中 吸附水汽后，氧化硼溶解于水并生成硼酸，发生体积膨胀，导致样品破坏。 根据riB2粉和BN粉高温氧化产物的不同，与TiB2-BN复相陶瓷中生成的氧 化物进行对比，可以确定TiB2-BN复相陶瓷烧结过程中的氧化，主要发生在 BN相。 热循环对TiB2．BN复相导电陶瓷不断产生损伤。多次循环后，两相界面