摘要
为了寻求降低BaTi03基PTC陶瓷室温电阻率的新途径,本文在
BaPb03的金属导电特性在PTC陶瓷的低阻化中发挥作用。
实验通过四种铅酸钡的加入方式,探讨在BaTiO,中复合铅酸钡
的二次配料中加入BaC03和Pb304,控制烧成工艺,实现铅酸钡物质
在BaTi0,中的合成,并控制铅酸钡相在晶界处。
通过对四种方案的实验,证明第四种方案能显著降低PTC陶瓷
的室温电阻率。进一步对BP的加入量和Pb/Ba的大小及烧成制度进
l
陶瓷材料。为了说明BP的加入对晶界物质的影响,文中通过正交设
计,对晶界物质的量及种类进行了实验,结果发现加入BP后明显抑
制了Mn的作用,AST的影响也变得不明显。BN的影响显著,在适
当的BN添加量下,可显著降低PTC的烧成温度和室温电阻率。文
构、元素的化合价和Pb的分布情况进行了分析,结果表明方案4中
晶格外延成长,与BaTiO,形成良好接触,同时在此过程制造了氧空
位,从而降低了PTC的电阻率。根据实验结果和检测分析,总结了
加BP的PTC材料的物理结构模型。并成功的解释了实验现象。
和Pb304)
Abstract
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