CCD与CMOS的比较.pptVIP

CMOS图像传感器 2013-12 西南交大光电所 结构、工作原理 关键技术 发展现状 性能及应用比较 vs CCD 发展趋势 结构、工作原理 Complementary Metal-Oxide Semiconductor 互补型金属氧化物半导体 关键技术 片上消除噪声技术 全像素电荷转移技术 片上模拟处理技术 抑制暗电流技术 提高填充系数 提高动态范围 低压驱动掩埋光电二极管 发展现状 国外部分CMOS 图像传感器产品 国内情况 西安交大、重庆大学、中国科学院微电子研究中心、北京思比科微电子公司、北京中星科技、联想集团、台湾宜霖科技、台湾联华电子等单位都开展CMOS 图像传感器的设计、研制和应用开发等工作，并取得了较大的进展。 国内大部分厂商由于缺乏核心技术，即使投入资金再大也无法摆脱组装加工的地位。 加大VLSI工艺的研发力度，优化CMOS 图像传感器的电路设计，缩短与发达国家的差距刻不容缓。 CMOS Image Sensor Revenue Forecast by Market 性能比较 CMOS vs CCD 采集和处理速度 驱动电压 集成度 灵敏度 动态范围 噪声 暗电流 成像质量 功耗 价格 体积 实际成像对比1——白天室内 实际成像对比2——夜晚室内 实际成像对比3——白天室外 应用比较 高分辨率、高灵敏度的高端应用领域：空间技术、专业摄像机、光谱仪、生物医学摄影、微光成像 应用比较 发展趋势 高分辨率，高帧率，宽动态范围，低噪声，抗辐射，多功能、智能化以及SoC 可以相信，随着多媒体、数字电视、可视通讯产品的增加，CMOS 图像传感器的应用前景一定会更加广阔 谢谢观赏！ * * 内容 CCD结构 结构对比 感光单元 光照 信号传送方式对比 放大 ADC 精确 噪声 效率低 效率高 行地址译码器 列地址译码器 输出寄存器 起于：20th 60s , 限制：工艺水平 发展：20th 90s , 诱发：VLSI，信息处理技术，工艺水平 领域：国外诸多公司和机构已经开发出不同光学格式、多种类型的CMOS 图像传感器，应用到工业、国防、交通、通讯、医学及航空等 主要公司：Sony , Toshiba , Olympus, Canon,Nikon,Samsung，Panasonic ,Omni , Kodak ,MagnaChip ,Cypress , Micron technology 6.4x6.4 3710x2434 CYIHDSC9000AA Cypress 1.4x1.4 2592x1944 KAC-05020 Kodak 2.2x2.2 2592x1944 MT9P401 Micron technology 2.2x2.2 2080x1560 ET8EE6-AS Toshiba 2.2x2.2 2048x1536 MC531EB MagnaChip 2.5x2.5 2921x2184 IMX017CQE Sony 2.5x2.5 320x240 OV6920 Omni 像素尺寸/um 分辨率/pixel 型号 公司 CMOS Image Sensor applications in 2012 单位：亿美元 CAGR:Compound Annuel Growth Rate（年复合增长率） 快 慢 小 大12-18v 高 低 低 高 30% 窄70dB 宽70dB 大 小 大1nA 小2pA 低