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直流电子负载设计 直流电子负载通常用于直流稳压电源加负载能力的测试，即负载调整率测试，也可用于电池放电特性等测试。直流稳压电源往往会因输入电压变化而引起输出电压的变化，同样也会因负载变化而引起输出电压的变化，这就是直流稳压电源中的源效应和负载效应。一般情况下，为了测试稳压电源的带负载特性，要在稳压电源的输出口连接大功率可变电阻，改变电阻值以获得变化的电流，测量出端口电压变化情况，从而得到负载调整率、等效内阻等特性参数。采用电子负载，可以不必使用机械结构复杂的大功率可变电阻，避免改变电阻时触点接触不良等问题，并且可以实现自动操作，会给测试带来许多方便。 设计目标：测试极限参数为24V/3A的直流稳压电源，具有尽量高的控制和测量精度，0.1-3.0A之间电流调节精度不低于±1%，并显示端口电压、电流。当被测电源输出电压高过30V时切断测量回路，以保护电子负载。 方案选择 电子负载是为了给被测电源提供电流通路，实际是一个可控电流源， 为一个测量装置,需要有一定的控制精度。电子负载本身是一个耗能器件，不必考虑其工作效率。为了使其电流调节精度足够高，电路采用线性闭环控制方式，主要由电流取样电路、线性放大电路、误差比较电路、电流调整电路、参考电压设置、过电压保护电路构成，其框图如图1所示。 图1 电子负载组成框图 其中参考电压可以由电位器设置，也可以由单片机进行设置，实现数控方式。这里的设置电路连同电流、电压值显示都统一由单片机电路进行处理，参考电压值以3.0V为限，即3.0V对应3.0A为标准，协调设置电路与控制电路的关系。 硬件电路的实现 根据上述方案，落实具体电路结构及元器件参数。 2.1 电流控制环路 电流控制环路采用传统的放大加比较的线性控制方式，电路结构如图2所示。其中电流调整管采用MOSFET功率器件，有足够的电流、电压承受能力，并且加装大体积散热器，必要时用风扇进行强制散热。MOSFET功率器件的可选型号很多，结合现有的资源，这里采用IRF530，其最大工作电流为17A，最大耐压值为100V，满足电路工作要求。 图2 基本恒流电路 通常，为了尽量降低电流源自身的功耗，电流源的取样电阻值一般选得比较小，如选为0.01Ω等。但作为电子负载，就是需要消耗电能，这里的电流取样电阻的阻值可以取得大一些，有助于降低放大电路的电压增益，减小非线性指标。但要有较高的热稳定性，最适合的是锰铜丝。取一段长度为450mm的φ1.2mm锰铜丝，绕成螺旋状，其电阻值约为0.2Ω。这样，电流控制的基准电压是3.0V对应3.0A，线性放大电路的电压增益应该是5倍。 电流取样获得的是直流参数，其放大芯片最好采用直流放大专用芯片OP07，温度漂移量小，只有0.5μV/℃和2μV/月的静态漂移，使其有较高的长期工作稳定性。这样，误差放大得采用其他芯片，还需要正、负双电源供电，电路结构会复杂一些。若为了赶时间，如应对竞赛等，需要简化电路，可以将电压放大和误差放大合二为一，选用LM358芯片，而且只要单电源供电即可。图所示电路是作为一般性设计，采用了OP07芯片放大采样电压。对于误差放大电路，主要要求电压增益高一些，可以选用OP07芯片，也可以选用LM358芯片。这里考虑电源供电中还需要用到运算放大器，选用了LM358芯片作误差放大。 电路由参考电压Vi控制着输出电流Io，有必要了解恒流环路的输出电流Io与参考电压Vi的关系。设取样放大电路的增益为A1，误差放大电路的增益为A2，场效应管的跨导为gm，gm是一个变化量，运算放大器还是作为理想运放处理。恒流状态时栅极电压为VGS0+Io/gm。 如果能够排除VGS0的影响，Io与Vi的关系会变得简单。这就要求无论负载电流有否存在，场效应管应该一直工作在导通状态，即静态下场效应管已经导通，电路需要为场效应管引入静态导通电流。当控制电流的参考电压输入0V时,对应取样电流值也为零值，IC1的反相端需要负电压拉动,使其输出端电位升高至VGS0值。如果A2按100计算，需要-0.04V的电压。为此，在基本恒流电路中增加电阻R26、R27R8阻值改为2kΩ，将IC2的增益也改为10倍。更改后的电路如图3所示。其中R27的阻值要视情况而定，设置标准是：输入0V电流参考电压，且IC2也输出0V电压，场效应管处于微导通状态。这里有一个问题必定存在：为了电流控制的线性化，恒流电流不可能完全关闭。 图3 线性化的恒流电路 当设置场效应管的静态导通电流后，且A2值很大，Io与Vi的关系式可以简化为线性关系，其计算式如1式所示。 1 做了近似处理后，引入了一定的固有误差。所其中R17A1=1，对于IRF530器件，gm远大于1，这样，R17A1A2gm-1近似为R17