巯基苯胺分子膜电压记忆特性研究.pdfVIP

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巯基苯胺分子膜电压记忆特性研究.pdf

2O13年 3月 四川大学学报(自然科学版) M ar.2013 第 5O卷 第 2期 JournalofSichuanUniversity(NaturalScienceEdition) V01.5O No.2 doi:103969/j.issn.0490—6756.2013.02.022 巯基苯胺分子膜 电压记忆特性研究 胡海龙 ,张 琨。,杨光成。,马 国华 ,刘永刚 (1.西南科技大学分析测试中心 ,绵阳 621010; 2.中国科学技术大学微尺度国家实验室,合肥 230026; 3.中国工程物理研究院化工材料研究所 ,绵阳621900) 摘 要 :利用扫描隧道显微镜(STM)在不同偏压下对组装在金表面的巯基苯胺分子膜进行研 究,结果发现在不 同偏压下 ,巯基苯胺分子膜表现 出不同的形貌特征 ,同时这种形貌对偏压的 变化具有可逆性,在 高偏压下巯基苯胺分子膜的形貌变化特征能够在低偏压扫描下继续保留, 说明这种 高偏压下的形貌特征具有一定的记忆特性.这种现象可能来 自于巯基苯胺分子在金 表面的吸附状态受到外加 电场改变所致. 关键词 :巯基 苯胺 ;记忆特性 ;扫描隧道显微镜 中图分类号:0484.4 文献标识码:A 文章编号:0490—6756(2013)02—0331—06 Investigationofthememorypropertyofthemorphologyofthe 4-am inothiophenolmonolayerwith scanningbias H 【,Hai—Long ,ZHANG Kun ,YANG Guang—Cheng。,MA Guo—Hua ,L U }Tong—Gang (1.AnalyticalandTestingCenter,SouthwestUniversityofScienceandTechnology,Mianyang621010,China; 2.Hq.·eiNationalLaboratoryforPhysicalScienceatMicroscale,Hefei230026,China; 3.InstituteofChemicalMaterials,ChinaAcademyofEngineeringPhysics,Mianyang621900,China) Abstract:The4-aminothiophenol(4一ATP)self-assembledmonolayer(SAM)wasstudiedbyscanning tunnelingmicroscolz’yatdifferentbiasesonAu (111)surface.Theresultshowsthebiasdependence propertyofthe4一ATPSAM morphologythatthemorphologyof4-ATPSAM couldbechangedbyscan— ningbias,andthischangeisreversible.TheSAM ’Smorphologyathigh biascan beremainedatlow scanningbias,itmeansthatthemorphology ofSAM hasamemorypropertywith thescanningbias. Thebiasdependenceofthe4-ATP SAM maybeinducedby theadsorb statechangedbytheelectrical fieldbyappliedbias.onAu (111)surface. Keywords:4-aminothiophenol,memoryproperty,scanningtunnelingmicroscope 组装的低 聚物的有机分子膜 [1 。.同时巯基苯胺 1 引 口

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