AlGaN%2fGaN高电子迁移率晶体管的模型的研究.pdfVIP

摘要 摘要 氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一， 其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀，非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高 密度集成的电子器件以及蓝光、绿光和紫外光电子器件。所有这些优良的性质， 很好的弥补了前两代Si和AsGa等半导体材料本身固有的缺点，从而成为飞速发展 的研究前沿。 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMTs)，是以AlGaN/GaN 异质结材料为 基础而制造的 GaN 基器件。与传统的 MESFET 器件相比，AlGaN/GaN HEMTs 具 有高跨导、高饱和电流以及高截止频率的优良特性。另外，实验证明，GaN 基 HEMT 在 1000K 的高温下仍然保持着良好的直流特性。从而减少甚至取消冷却系统，使 系统的体积和重量大大降低，效率大大提高。由于 GaN 材料的热导率较高、热容 量大，特别是它有着较高的击穿电场。这极大地提高了 GaN 器件的耐压容量、电 流密度，使 GaN 功率器件可以工作在大功率的条件下。 随着 GaN 材料制造工艺的不断改进和制造成本的下降，AlGaN/GaN HEMT 器件必将在高温、大功率、高频、光电子、抗辐照等领域取得广泛的应用。 虽然人们对 GaN 基微波功率器件的研究工作已经持续了多年，深度和广度已 经达到了前所未有的水平，但是真正商业化的 AlGaN/GaN HEMT 功率器件仍然尚 未问世。这里面有诸多原因。除了可靠性及 GaN 缺陷密度等问题尚未解决外，当 HEMT 器件工作于大功率、高温的环境时，会产生明显的“自热效应”。引起附加 的功率损失和电流输出能力的下降，进而降低器件的微波性能，甚至引起功能失 效。另一方面对于在微波领域有着良好应用前景的 AlGaN/GaN HEMT ，由于 GaN 基器件发展历史相对较短，对 AlGaN/GaN HEMT 的大信号小信号建模理论研究成 果较少，还主要沿用 MESFET 的相关模型。由于 HEMT 与 MESFET 的工作原理 有所不同，在加上 AlGaN/GaN HEMT 器件有其自身的特点，所以套用这些模型误 差在所难免。因此建立适合 AlGaN/GaN HEMT 的大小信号模型是目前理论研究需 要努力的方向。以上这些问题的研究都是推进 AlGaN/GaN HEMT 商业化生产进程 中十分重要的步骤。 本课题围绕以下几个方面展开具体工作： （1）针对 HEMT 器件的自热效应，提出了一种用于分析 AlGaN/GaN HEMT I-V 特性的数值计算模型，在算法上转化为迭代求解泊松方程、薛定谔方程和费米分 布。分析了自热效应的起因，以及这种效应对二维电子气浓度分布和漏电流的影 响。在此过程中引入了一系列与温度和Al含量有关的参数，如导带断续、载流子 博士论文： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的模型研究 迁移率、极化效应、电子饱和漂移速度、热导率等。而且提出了器件衬底底部温 度T 为非恒定的模型。采用此模型的模拟结果与国外发表的实验数据一致性很 sub 好，而这些因素的考虑未影响模型运算的迭代收敛性，也未明显增加计算量，因 此在大功率AlGaN/GaN HEMT的研究过程中，这一模型适合于包括“自热效应”在 内的器件温度特性分析。 （2）在以上数值分析模型的基础上，分别计算了不同温度时 HEMT 器件漏电 流与栅电压以及跨导与栅电压之间的关系，并与实验值做了对比，模拟的结果比 较好的反映了实际情况。计算结果表明当环境温度较高时，AlGaN/GaN HEMT 器件 的衬底底部与沟道之间的温度差会变得较大。这种现象会导致沟道中电子迁移率 降低，从而使器件的跨导进一步下降，微波特性变差。 （3）从小信号线性分析入手，详细讨论了AlGaN/GaN HEMT小信号等效电路模 型，给出了 S 参数法提取寄生元件和本征元件的详细过程。特别地，提出了一种 专门针对AlGaN/GaN HEMT器件，基于S参数测量值的参数提取模型。这个模型具 有简单易行，精度较高的优点。尤其是不用参数优化，免去了大量的计算过程。 我们应用一组实际测量的AlGaN/GaN HEMT