拉曼光谱在SiC晶体生长和结构分析中应用.pdf

中义摘费 摘要 碳化硅(SiC)晶体是重要的间接宽带隙半导体材料之一，具有优良的物理 和化学特性，很早被证明是一种耐高温、高强度、耐磨损的应用材料，在许多领 域具有重要的应用价值，已成为发展微电子和光电子技术的有重要价值的材料。 然而，从SiC的晶体结构看，该晶体具有多种品型，比较常见的晶型有：立方结 例如光学和电学特性，都与其晶型结构密切相关。目前主要的研究热点就是生产 大尺寸的、高质量的SiC晶体，有效地控制晶型结构。因此，急需寻找一种简单 有效的方法对SiC晶体的晶型、生长质量进行分析，对SiC晶体的生长、器件制 作和应用具有十分重要的意义。拉曼散射是一种无损伤的测试方法，无需对样品 进行专门处理，具有方便快捷的特点，对样品的结构和缺陷十分敏感。拉曼光谱 在材料的结构分析中具有非常重要的地位。 本文利用显微拉曼光谱对SiC的晶体结构进行了分析，获得了不同晶型的一 阶和二阶拉曼光谱，对所得结果进行了分析和归属，并进一步研究了晶体杂质对 一阶和二阶拉曼光谱的影响，重点分析了纵光学声子与等离子体激元耦合模 (LOPC)模和短程堆垛层错结构。研究结果表明：SiC的一阶和二阶拉曼光谱 都能反映其晶体结构，二阶拉曼谱由相应的一阶拉曼谱的二倍频和组合模构成。 通过分析含有杂质的4H、6H、15R．SiC一阶拉曼谱，发现杂质浓度越高，一阶 谱的LOPC的谱形展宽越大、蓝移越大、散射强度越弱，可以利用这一规律快捷 地判定晶体中杂质浓度的大小；晶体中包含的短程堆垛层错结构杂质造成了横声 学模蜂宽的展宽。通过分析含有杂质的4H—SiC的二阶拉曼谱，发现杂质对于 4H．SiC的二阶拉曼谱几乎没有影响。 关键词：碳化硅；拉曼光谱；振动模；多晶型 一 垒坠坚竺! ——一一 Abstract Siliconcarbidewhichisawideband semiconductorwithRnindirectband gap structureisanattractive for material and radiationresistant devices．Itiswellknownthattherearea electro—optical large for numberof theSiC havethesamestructuralandchemical polytypes crystal，which different structures composition，but and crystallographic stackingsequencesalong axis．The the crystal mostcommon arecubic principal polytypes structure(3C—SiC)， rhombohedral hexagonalstructure(2H-，4H一，6H·SiC)andstructure(15R一， controlofthe duringcrystal is important， 21R—SiC)，The polytype growthquite theband because andelectrical aredifferentfordifferent