中南大学自动控制原理实验报告.doc

信息科学与工程学院 预定时间 实验时间 姓名 授课教师 专业班级 实验结果： 当R0=200K；R1=100K。 输出电压约为输入电压的1/2，误差范围内满足理论波形， 当R0 = 200K； R1 = 200K。 积分环节 模拟电路图： 当R0=200K；C=1uF。 实验结果： 当R0 = 200K； C = 2uF。 比例积分环节 (PI) 模拟电路图： 取 R0 = R1 = 200K； C = 1uF。 实验结果 取 R0=R1=200K； C=2uF。 惯性环节 (T) 取 R0=R1=200K； C=1uF。 取 R0=R1=200K； C=2uF。 比例微分环节 (PD) 模拟电路图： 取 R0 = R2 = 100K， R3 = 10K， C = 1uF； R1 = 100K。 取 R0=R2=100K， R3=10K， C=1uF； R1=200K。 比例积分微分环节 (PID) 模拟电路图： 取 R2 = R3 = 10K， R0 = 100K， C1 = C2 = 1uF； R1 = 100K。 取 R2 = R3 = 10K， R0 = 100K， C1 = C2 = 1uF； R1 = 200K。 实验步骤 按 1.1.3 节中所列举的比例环节的模拟电路图将线接好。 检查无误后开启设备电源。 2. 将信号源单元的“ST” 端插针与“S” 端插针用“短路块” 短接。由于每个运放单元均 设臵了锁零场效应管， 所以运放具有锁零功能。 将开关设在“方波”档，分别调节调幅和调频 电位器，使得“OUT”端输出的方波幅值为 1V，周期为 10s 左右。 3. 将 2 中的方波信号加至环节的输入端 Ui，用示波器的“CH1” 和“CH2” 表笔分别监测 模拟电路的输入 Ui 端和输出 U0 端，观测输出端的实际响应曲线 U0(t)， 记录实验波形及结果。 4. 改变几组参数，重新观测结果。 5. 用同样的方法分别搭接积分环节、比例积分环节、比例微分环节、 惯性环节和比例积分 微分环节的模拟电路图。 观测这些环节对阶跃信号的实际响应曲线， 分别记录实验波形及结果。 实验二 1.2 典型系统的时域响应和稳定性分析 实验目的实验设备 实验步骤实验现象分析 可知道该系统的自然频率和阻尼比均与R值大小有关，当R处于160左右处于临界阻尼状态，则R160时阻尼比增大，系统则应处于过阻尼状态，输出波形如上图所示。 同理当R的阻值减小时，系统应该趋于欠阻尼状态；如R=50时，系统处于欠阻尼状态，其输出波形如下图所示： 欠阻尼 欠阻尼状态，是我们所期望的一种状态，相比于过阻尼，系统响应时间比较短，相比于临界阻尼，系统的超调量比较小。工程上，也是希望系统能够快速平稳准确的追踪输入信号，因此欠阻尼相对比较理想。 三阶系统 三阶系统处于临界稳定时 三阶R30K R30K 实验三 2.1 线性系统的根轨迹分析 实验目的 实验设备 模拟电路构成： 如图 2.1-2 所示。 系统的开环增益为 K＝ 500KΩ/R，开环传递函数为： 绘制根轨迹 由开环传递函数分母多项式 S(S+1)(0.5S+1)中最高阶次 n＝ 3，故根轨迹分支数为 3。开环有三个极点： p1＝ 0， p2＝－ 1， p3＝－ 2。 实轴上的根轨迹： ① 起始于 0、 － 1、 － 2，其中－ 2 终止于无穷远处。 ②起始于 0 和－ 1 的两条根轨迹在实轴上相遇后分离，分离点为 显然 S2 不在根轨迹上，所以 S1 为系统的分离点，将 S1＝－ 0.422 代入特征方程S(S+1)(0.5S+1)＋ K 中，得 K＝ 0.193 根轨迹与虚轴的交点 将 S = j W 代入特征方程可得： 根据以上计算，将这些数值标注在 S 平面上，并连成光滑的粗实线，如下图所示。图上的粗实线就称为该系统的根轨迹。其箭头表示随着 K 值的增加，根轨迹的变化趋势，而标注的数值则代表与特征根位臵相应的开环增益 K 的数值。 根据根轨迹图分析系统的稳定性 根据图 2.1 -3 所示根轨迹图，当开环增益 K 由零变化到无穷大时，可以获得系统的下述性能： R＝ 500/K 当 K＝ 3； 即 R＝ 166 KΩ 时，闭环极点有一对在虚轴上的根，系统等幅振荡，临界稳定。 当 K 3； 即 R 166 KΩ 时，两条根轨迹进入 S 右半平面，系统不稳定。 当 0 K 3； 即 R 166 KΩ 时，两条根轨迹进入 S 左半平面，系统稳定。 上述分析表明，根轨迹与系统性能之间有密切的联系。利用根轨迹不仅能够分析闭环系统的动态性能以及参数变化对系统动态性能的影响，而且还可以根据对系统暂态特性的要求确定可变参数和调整开环零、极点位臵以及改变它们的个数。这就是说，根