半导体课件第九章.pptVIP

第九章 发光二极管和半导体激光器 9.1 辐射复合与非辐射 9.1辐射复合和非辐射复合 在复合过程中电子多余的能量可以以辐射的形式（发射光子）释放出来，这种复合称为辐射复合，它是光吸收的逆过程。 在复合过程中电子的多余能量也可以以其它形式释放出来，而不发射光子，这种复合称为非辐射复合。 光电器件利用的是辐射复合过程，非辐射复合过程则是不利的。了解半导体中辐射复合过程和非辐射复合过程是了解光电器件的工作机制和进行器件设计的基础。 9.1.1 辐射复合 1.带间辐射复合 2.浅能级和主带之间的复合 3.施主?受主对（D-A对）复合 4.通过深能级的复合 5.激子复合 6、等电子陷阱复合 在GaP LED中引入N或Zn-O等电子陷阱的意义。 9.1.2 非辐射复合 9.2 LED的基本结构和工作过程 9.2 LED的基本结构和工作过程 9.2 LED的基本结构和工作过程 9.3.2 量子效率 量子效率是发光二极管特性中一个与辐射量有关的重要参数。它反映了注入载流子复合产生光量子的效率。量子效率又有内量子效率和外量子效率两个概念: 外量子效率：单位时间内输出二极管外的光子数目与注入的载流子数目之比。 内量子效率：单位时间内半导体的辐射复合产生的光子数与注入的载流子数目之比。 9.