抗多位翻转低冗余存储器加固设计和分析技术研究.pdfVIP

Classified Index: TN492 U.D.C: 621.38 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering RESEARCH ON DESIGN AND ANALYSIS TECHNIQUES OF HARDENED MEMORY AGAINST MBU WITH LOW OVERHEAD Candidate ： Zhu Ming Supervisor ： Prof. Xiao Li Yi Academic Degree Applied for ： Doctor of Engineering Speciality ： Microelectronics and Solid-state Electronics Affiliation ： Dept. of Microelectronics Science and Technology Date of Defence ： December, 2011 Degree-Conferring-Institution ： Harbin Institute of Technology 摘 要 摘 要 随着集成电路特征尺寸的不断缩小，静态随机存储器对空间辐射、核辐射 环境甚至地面辐射环境都非常敏感，辐射产生的带电粒子会引发软错误，导致 存储器出现信息丢失或功能失效。在航天、核技术和关键的民用领域，集成电 路的容错抗辐射已经成为一种必不可少的技术。当集成电路进入深亚微米工艺 后，一次单粒子辐射事件会引发存储器多位翻转，多位翻转出现的几率和位数 随着工艺尺寸的缩小而增加，在目前主流工艺的静态随机存储器中尤为明显。 存储器多位翻转模型分析技术的目标是在存储器设计初期即可对其可靠性 进行快速、有效地评估，避免了芯片流片后的可靠性不达标而进行的返工。此 外，每一种纠错能力强的加固技术都需要大量的硬件冗余，严重地恶化存储器 的性能参数。根据不同的设计需求，研究高可靠性、低开销的存储器抗多位翻 转加固技术变得至关重要。本文针对静态随机存储器多位翻转的加固设计与分 析技术这两个热点问题展开研究，主要工作包括： 研究了采用错误修正码（Error Correction Codes, ECC ）加固技术的存储器 多位翻转可靠性模型分析技术。存储器多位翻转事件可以等效为具有更大存储 容量或更低事件到达率的单粒子翻转事件，但是在辐射环境中辐射事件产生的 错误交叠和辐射事件的角度等因素对存储器可靠性分析结果影响较大。首先， 本文根据存储器多位翻转的辐射试验结果，利用概率统计和数学分析的方法对 上述环境因素进行参数化建模，提出了存储器多位翻转的错误交叠和辐射事件 角度的评估模型。随后，本文在已有的单粒子翻转辐射事件下存储器的可靠性 模型基础上，考虑了所建立的辐射环境参数后，分别对采用擦除技术和未采用 擦除技术下的存储器可靠性进行了分析并给出了存储器可靠性模型有效的边界 条件，提出了一个分析结果更加精确的存储器可靠性评估模型。提出的模型在 设计初期即可对存储器在多位翻转影响下的可靠性进行快速、有效地的分析。 最后，通过构建的多位翻转模拟验证平台检验了提出可靠性模型的有效性。 对低冗余的 ECC 构造优化技术进行了研究。ECC 的修正能力与其奇偶校验 矩阵的构成有关，修正能力强的 ECC 需要更多的冗余位，其奇偶校验矩阵也具 有更多的行数和列数。本文探索新的错误修正码结构，利用算法约束对奇偶校 验矩阵的构造进行改进和优化，在不增加冗余位的前提下，实现修正能力的提 高。基于传统的单错误修正、双错误探测（Single Error Correction and Double Error Detection, SEC-DED ）码，本文首先给出了构建单错误修正、双错误探测、 相邻双错误修正（S