Fe、Ni共掺杂ZnO薄膜的制备和性质的研究.pdfVIP

中文摘要 Fe、Ni共掺杂Zn0薄膜的制备和性质研究 凝聚态物理专业 研究生胡志刚 指导教师徐明 Zn0是一种宽带隙的半导体材料，室温下它的能隙宽度为3．37eV，激子 束缚能高达60 meV，具备优异的紫外发光条件，展现出在蓝光及紫外光发光二 极管、激光器和光探测器上的重要应用价值。同时，根据理论预测，过渡金属 掺杂的Zn0可以获得居里温度高于室温的铁磁性，它可广泛应用于自旋场效应 积更小，功耗更低，稳定性更好。光学和磁性这两个自由度都有望应用在新型 的电子信息材料器件之中，因此倍受人们的关注。 zn0基稀磁半导体薄膜。利用二水醋酸锌水解获Zn0溶胶，经过旋涂镀膜，在 不同掺杂情形下制备Zn0薄膜，在大量实验探索和理论计算的基础上，对样品 光学特性及磁性行为进行了初步的探究和分析。具体工作如下： 首先，采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)第一性原理计算了纯净 后的总态密度结果中发现，Ni掺杂ZnO具有较大的价带和导带弥散性，Ni和O 之间的相互作用比Fe和0之间的相互作用具有更高的共价性；基于所得的能 带结构和态密度的分析讨论了它们的光学性质，与纯净ZnO相比，Fe、Ni单掺 较强吸收峰。与此同时，实验方面我们正进一步寻找最佳实验方案，期望能观 察到高强度的发光。结合他人的计算和实验结果，我们给出了定性的讨论。 中文摘要 的ZnO薄膜表面均匀致密，都存在(002)择优取向，具有六角纤锌矿结构， Ni单掺杂和共掺杂并不改变ZnO薄膜的发光峰位置，但掺杂后该紫外发光峰 薄膜均存在室温铁磁性，分析认为磁性源于替位的掺杂离子，磁性取决于替位离 子和缺陷引起的载流子之间的耦合程度。 关键词：ZnO薄膜 溶胶．凝胶法 共掺杂 光致发光 第一性原理 Ⅱ ABSTRACT ofElectronicStructuresand Study Optical · ZnO ofDoped Matter Major：CondensedPhysics Postgraduate：HuZ11i—gang Supervisor：XuMing at isa semiconductormaterialwitll 3．37eV ZnO wide—gap energygap 300K， ultraviolet exciton about excellent light energy60meV,and binding to in asblueorUV has be fieldssuch diodes， provenimportantmany light—emitting Canbea lasersand theother