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低温烧结PZT-PFW-PMN系压电陶瓷电性能的研究 晁小练 摘要本文根据大功率多层压电陶瓷变压器对压电陶瓷材料的使用要求，即在 较低的烧结温度下具有高的机械品质因数Qm、高的机电耦合系数％、高的压电 常数d33和低的介质损耗tan6，从烧结工艺、添加助烧剂和掺杂技术等几个方面 陶瓷进行了研究，以期满足大功率多层压电变压器的使用。 主要内容如下：采用传统固相法制备了PzT-PFw．PMN压电陶瓷。详细地研 温度、微观结构及电性能的影响。实验结果表明：当Li2C03的掺杂量为0．30州．％ 时，陶瓷的烧结温度虽然降到了1020℃，但是压电性能却大幅度恶化，其值分别 为：d33=413 pC／N，娲=0．55，“=882，tan6卸．0062和T。=295oC；同样，当IaSb03 的含量为0．10 持较好的电性能，其性能分别为：d33=331 使陶瓷的烧结温度从1200oc降到了1020oC，降了180oC之多，使得陶瓷材料具 有比较优良的压电性能。当YMn03含量为0．30wt．％时，能有效的促进固溶体的 形成，且陶瓷样品具有比较优良的压电性能，其性能为：d33=341 pC／N，蚝=0．57， wt．％时， 陶瓷晶粒分布趋于均匀，气孔减少，致密性提高，陶瓷获得较好的显微结构，样 其性能为：d33=309 为了进一步降低陶瓷的烧结温度，使其与低含量钯内电极浆料相匹配，降低 生产成本，同时能够保持陶瓷良好的压电性能，以满足多层压电陶瓷变压器的工 -0．20、^，t．％BiFe03压电陶瓷烧结温度、相结构、显微组织的影响和压电性能的改 善。实验结果表明：随着ZnO含量的增加，体系的相结构从四方相转变为菱方相， 陶瓷晶粒逐渐长大，陶瓷的如3、局和Q。均呈先增加后降低，tan6呈先下降，随 后略有增加。当ZnO的含量为0．10wt．％时，陶瓷体系的烧结温度从1020℃降到 950 oC，陶瓷致密，同时具有优良的综合性能，分别是：d33=313 pC／N，墨=0．56， a。=1387，￡，=1384，tan6--0．0053和Tc=295oC。因此，P孙PFw二PMN．0．20wt．％ wt．％ZnO四元体系有望成为大功率多层压电陶瓷变压器用的候选材 BiFe03-0．10 料。 关键词：PzT基压电陶瓷低温烧结 掺杂剂 电性能 II Electrical ofLowsintered properties temperature PZT-PFW-PMNbased ceramics piezoelectric XiaolianChao to the Abstract：Inordersatisfy of requirementshigh·powermultilayered for of transformers piezoelectric practicalapplications，thepropertiespiezoelectric ceramics combinea mechanical a should hiigh factor心Ahigh