二硼化镁的形成理及其成相控制.pdf

二硼化镁的形成机理及其成相控制 Formation Mechanismand of Controlling Diboride Magnesium Phase 一级学科 挝整抖堂皇王程 学科专业 挝魁堂 作者姓名 史废盔 指导教师 割丞篮教援 @ 天津大学材料科学与工程学院 二零零八年一月 摘要 随着人们对二硼化镁(MgB。)超导材料研究的不断深入，关于其形成机理 及成相控制的研究对高品质MgB。超导材料的制备具有越来越重要的指导意义。 本文采用传统的固相烧结和高频感应熔炼的方法分别制备MgB。多晶块体材料及 Mg—Cu—B三元合金，并结合显微组织观察、差热分析技术、粉末烧结理论，热力 学和动力学分析手段，系统研究了原位烧结过程及深过冷Mg-Cu-B合金熔体中 MgB。相的形成规律。另外，在原位烧结过程中，通过对外加和tl生纳米MgO颗 粒掺杂相自身演化规律和对MgB。相形成过程影响的研究，确定了这些影响与 MgB2超导电性之间的必然联系。上述研究包含的主要内容和获得的结论有： 利用高精度差热分析仪对Mg粉和B粉的混合试样进行烧结处理并同步监控 其反应进程，在实验分析的基础上，结合经典烧结理论和多重扫描动力学分析 方法，系统研究了原位烧结制备过程中多晶MgB。相的形成过程及成相机理，并 确定了最佳烧结工艺。结果表明：Mg粉和B粉在Mg熔化之前便已开始反应， 直到1023K时才反应完全并生成多晶MgB。相，因此在略高于1023K烧结得到的 样品具有高的超导转变温度。在Mg粉熔化之前，反应属于固一固反应阶段，相 互接触的Mg和B颗粒通过原子之间的相互扩散在接触处形成固溶活化区，MgB。 相便在该活化区内形成。多重扫描动力学分析结果显示：固一固反应所对应的 最概然机理函数为Avrami—Erofeev，表明MgB：相在该阶段受随机形核和随后的 瞬时生长方式所控制，生成的MgB。颗粒以纳米尺度存在且很难长大；Mg粉熔化 以后，反应进入固一液反应阶段，熔融Mg的渗透和包覆作用促进了Mg和残余 B之间的反应，与此同时，MgB。晶粒在该阶段按Ostwald熟化机制迅速长成规 则的六边形。 在上述工作基础上，同样采用热分析的手段，进一步研究了原位烧结过程 中纳米AI。0。粉末掺杂对多晶MgB。相形成过程的影响，并确定了该影响与超导 电性之间的内在联系。结果表明：在Mg粉和B粉原位烧结反应过程中，纳米 AI。O。将与Mg发生反应而生成纳米MgO和单质Al，由此改变了MgB。相的形成进 程。纳米MgO颗粒的析出限制了MgB。晶粒的长大，从而有效增加了MgB。多晶体 的晶界磁通钉扎作用。同时，纳米MgO颗粒自身也可作为有效的磁通钉扎中心， 提高MgB。多晶体的临界电流密度。但随着纳米A1。O。粉末掺杂量的增多，析出 的纳米MgO颗粒将发生局部团聚和长大而失去磁通钉扎作用，从而破坏了MgB。 多晶体的整体超导电性。Al原子部分取代MgB：晶体结构中Mg原子的位置，从 而破坏了它的电子结构而显著降低MgB：多晶体的临界转变温度。 在原位烧结制备多晶MgB。超导体过程中，MgO作为第二相的析出不可避免。 对自生MgO相的形成、演化规律及对超导电性能影响的研究发现：通过调整固 一固反应阶段的保温时间可实现自生纳米MgO颗粒的控制析出，并将其保留到 固一液反应阶段的大角度MgB2晶界及表面处形成有效的磁通钉扎中心，从而得 到高超导电性能的多晶MgB。超导体。 选取共晶Mg。。．。Cu42．。和Cu。。．，Bm作为Mg和B的先驱相，采用高频感应熔炼 的方法在常压及较低温度(1100℃)条件下熔配Mg。。Cu，。B。。三元合金。随后，利 用循环过热的净化方法得到不同初始过冷度条件下的深过冷Mg，。Cu，。B。。合金，并 借助经典形核理论和