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SnS纳米粉体及薄膜的制备与表征 摘要 池的最佳禁带宽度1．5eV，在理论上其能量转换效率达到25％；其吸 毒，有很好的环境兼容性。因此，它作为太阳能电池吸收层具有独特 { 的优越性。本文主要研究了SnS纳米粉体及薄膜的制备技术并对其结 构、成分和性能进行了表征。 采用直接沉淀法和均匀沉淀法制备了SnS纳米粉体。对所得样品 用XRD、SEM、EDS等分析手段进行了表征，探讨了热处理对粉体 结构性能的影响，并对所用的两种制备方法作了简要的比较。结果表 明：两种方法得到的样品均为斜方晶体结构的多晶SnS粉体；采用直 接沉淀法合成的粉体粒径范围在20．50nm，且粒度分布十分均匀；采 用均匀沉淀法合成的粉体粒径大小在30nm到100nm不等，粉体中的 S和Sn原子更接近化学计量比l：l，品质更好。 采用化学浴法和连续离子反应法制备了SnS薄膜。研究了不同工 艺条件和参数对SnS薄膜品质的影响，得到了制备SnS薄膜的优化 工艺条件，并从理论上分析了两种方法制备过程中SnS薄膜的形成机 理。结果表明：化学浴法制备过程中反应物三乙醇胺的浓度、溶液的 pH值对反应有很重要的影响。连续离子反应法获得的优化工艺条件 为：氯化亚锡的浓度是0．2mol／L，硫化钠的浓度是O．1mol／L；氯化亚 锡溶液的反应温度是60℃，硫化钠溶液的反应温度是室温。利用 析结果表明，所制备的薄膜样品为SnS；SEM观察结果显示，化学 浴法制备的薄膜样品的表面较之连续离子反应法所得到的薄膜样品 的表面晶粒更加细小均匀，致密平整。 利用紫外．可见分光光度计测量SnS薄膜的吸光度光谱，对其光 学性能进行了研究。研究了化学浴法中不同工艺条件对SnS薄膜光学 性能的影响，同时计算了不同工艺条件下SnS薄膜样品的光学直接能 带间隙。结果表明：随着沉积时间的延长，SnS薄膜的直接能带间隙 从1．9eV减小到1．7eV；随着沉积温度的升高，SnS薄膜的直接能带 间隙从1．6eV减小1．5eV。 关键词：太阳能电池， SnS， 纳米粉体， 薄膜， 光学性能 THE CHARACTEIUZATIONOFSnS PREPARATl0NAND NANOP0Ⅵ回ERSANDTHINFILMS ABSTRACT Tinsulfidehasaildirect of is energygapEg(1．2～1．5eV)，which closetothe 1．5eVofsolar ithasa very optimumenergygap cells，and a conversion highabsorptioncoefficient(al04cm。1)andhigh efficiency SnandSareabundantandnon-toxicin (25％)．Inaddition，elements hasitsown asan of nature．Therefore，SnS layer advantageabsorption solarcells．Inthis ofSnS andthin thesis，the preparationnanopowders filmshavebeen and