zno和钴掺杂zno薄膜的制备及其性能研究.pdfVIP

摘要 摘要 递紫Z∞是纾锌矿结褥翡竟禁带睾导薄材料，室湿下懿禁繁蹇发约舞 3．37斟，具有撬异熬光学和电学特性，在透明导电薄膜等方聪得到广泛的应用。 近年来ZnO基稀磁半导体(DMS)以其良好的室湓铁磁性，成为当前的研究热 点。本文幂|l用脉渖激光气稆沉积法(p毛转)黼备了Z鼗O及掺杂熬Z藏hCo。0系 捌群墨。 1．采用A1203(o001)为衬底，在不同氧气分压和衬底温度下，利用P己D法制 备了一系列Z赶0薄膜样燕。采用X射线箭辩X翰≥，弭v：ls暖收竞谱，A嚣e觳专 至董L 55∞s羚稔爨誊尔粼量系统对融0蓉捌样鑫熬壁构、光学性囊和电学性矮进 行了研究，并讨论了薄膜光电特性与生长温度和氧分厩的依赖关系。得出结论， 在lOPa氧分压下，衬底温度为500℃时，制备出晌氧化锌具有良好的光宅特性。 力显微镜(AFM)、UVvis吸收光谱和磁性测量(SQU国)等技术对样晶的结梅、 缺落、表蕾形貌、竞掌特性帮磁键等蔑质进行了繇究。X冀叠结暴显示其薄膜样 潞具煮嶷好的纡锌矿缝构，没毒线现第二相；AFM结果表明，Co的掺入降低了 z矬原予酶位置；茬电子湮灭数据表翡样品串缺陷释类单一盈浓度较祗：磁链溅 鲞结票显示2毫l—xC瑰。样螽都具有室澡蹶磁性。我爨谈建低浓度熬锌蛟终是导致 Z娃l一￡oxO薄膜产生室澧顺磁性的主要原因。 关键涌t 2纛l一。￡瓴0、薄膜、P￡》 Abstract ABSTRACT ZnOisa、诫leband semiconductor of、托rtzitestmcn聪晰thaband of gap gap 3．37eVatroom haS aS tcmperature。hmany applications，such films。Recently，琰lutedMagn武ic of interestsince at metal(TM)dopedZnO，aregreat theypossessfellromagnetism 秘鼬le联per鑫l毽聪，l程倦is凌esis，Z黩0勰d2勉1．xC。xO凌遗蠡l趱s谢凌di惫；豫燃e◇ concentrationwere PulsedLaser by deposited Depositionsystem(PLD)． 1．ZnOthinfilmshaVebeen on atdi行erent preparedA1203(0001)substrate oxygen anddi￡怒rentsubstrate PLD。The熨ructur越 p托ssure temperature using a11d hadbeen properties，electricalpropertiesoptic蠢propertiesinVest迢ated byⅪ国， Accent HL5500 and also thc systemUV-V∽65一typespectroph